[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。其中，高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS模式TFT-LCD是利用公共电极和像素电极之间的边缘场效应驱动液晶，根据其电极设计及层间结构，液晶透过率及特性大有变化。图1为现有技术的ADS模式液晶显示器的阵列基板的截面图。如图1所示，在所述阵列基板中，栅电极2形成在基板1上，栅电极2上形成有栅绝缘层4，栅绝缘层4上形成有半导体层5，源电极6和漏电极7形成在半导体层5上且相互分开着，像素电极12与漏电极7电连接后形成在栅绝缘层4上，公共电极16形成在保护膜13上，栅线(图未示)和数据线8限定像素区域，栅焊盘3形成在基板1上，数据焊盘9形成在栅绝缘层4上。为了防止漏光，在数据线8上方形成一部分公共电极162。

在上述阵列基板中，公共电极162和数据8之间存在寄生电容(Cdp_data to Vcom)，像素电极12和数据线8之间也存在寄生电容(Cdp_data to pixel)。在结构上，像素电极12和数据线8之间的距离较小时，寄生电容会比较大，这给像素电极12的充电特性带来影响，随之会影响到显示的质量，导致画面上出现污渍、残像或者闪烁现象。为此，需要增加像素电极12和数据线8之间的距离来减小寄生电容，但这却会导致像素的开口率降低。

另外，公共电极162和数据线8之间的寄生电容较大时，会导致数据线8上的信号发生延迟。液晶显示器的分辨率越高、面积越大时，信号延迟会越严重。在现有的改善信号延迟的方法中，主要是通过提高数据线8和公共电极162间的保护膜13的厚度来降低寄生电容，但这会造成制造时间以及制造成本的急剧增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，以降低阵列基板中数据线上的信号延迟，并防止高温下TFT中漏电流的产生。

为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：

一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括栅线、数据线以及位于栅线和数据线之间的多个像素单元，所述非显示区域包括栅焊盘和数据焊盘，其中，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极相连接；所述公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极；所述公共电极所在的层与所述像素电极所在的层之间设置有保护膜；所述像素电极和所述数据线之间、以及所述薄膜晶体管与所述保护膜之间设置有无机绝缘膜和有机绝缘膜，所述无机绝缘膜形成在所述数据线和所述薄膜晶体管的源极、漏极和沟道区域的半导体层的上方，所述有机绝缘膜位于所述无机绝缘膜的上方。

上述的阵列基板，其中，所述阵列基板的具体结构包括：

形成在基板上的栅电极和栅线；

形成在栅电极和栅线上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的半导体层和数据线；

形成在半导体层上的源电极和漏电极；

形成在源电极、漏电极、数据线和半导体层上的无机绝缘膜；

形成在无机绝缘膜上的有机绝缘膜，无机绝缘膜和有机绝缘膜上形成有第一接触孔；

形成在有机绝缘膜上的像素电极，像素电极通过第一接触孔与漏电极电连接；

形成在像素电极和有机绝缘膜上的保护膜；

形成在保护膜上的公共电极，公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极。

上述的阵列基板，其中，所述数据线下方保留有半导体层材料，或者所述数据线下方与栅绝缘层直接接触。

上述的阵列基板，其中，还包括：

与所述栅线位于同一层的栅焊盘；

与所述数据线位于同一层的数据焊盘；

在所述栅焊盘上方形成的第二接触孔和栅焊盘电极，所述栅焊盘电极通过所述第二接触孔与所述栅焊盘电连接；