[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括栅线、数据线以及位于栅线和数据线之间的多个像素单元，所述非显示区域包括栅焊盘和数据焊盘，其中，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极相连接，其特征在于，

所述公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极；所述公共电极所在的层与所述像素电极所在的层之间设置有保护膜；

所述像素电极和所述数据线之间、以及所述薄膜晶体管与所述保护膜之间设置有无机绝缘膜和有机绝缘膜，所述无机绝缘膜形成在所述数据线和所述薄膜晶体管的源极、漏极和沟道区域的半导体层的上方，所述有机绝缘膜位于所述无机绝缘膜的上方。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的具体结构包括：

形成在基板上的栅电极和栅线；

形成在栅电极和栅线上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的半导体层和数据线；

形成在半导体层上的源电极和漏电极；

形成在源电极、漏电极、数据线和半导体层上的无机绝缘膜；

形成在无机绝缘膜上的有机绝缘膜，无机绝缘膜和有机绝缘膜上形成有第一接触孔；

形成在有机绝缘膜上的像素电极，像素电极通过第一接触孔与漏电极电连接；

形成在像素电极和有机绝缘膜上的保护膜；

形成在保护膜上的公共电极，公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线下方保留有半导体层材料，或者所述数据线下方与栅绝缘层直接接触。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

与所述栅线位于同一层的栅焊盘；

与所述数据线位于同一层的数据焊盘；

在所述栅焊盘上方形成的第二接触孔和栅焊盘电极，所述栅焊盘电极通过所述第二接触孔与所述栅焊盘电连接；

在所述数据焊盘上方形成的第三接触孔和数据焊盘电极，所述数据焊盘电极通过所述第三接触孔与所述数据焊盘电连接。

5.如权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于：

所述像素电极与所述数据线在沿平行于所述基板的方向之间的距离为0～1μm。

6.如权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于：

物所述无机绝缘膜的厚度为

7.如权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于：

所述有机绝缘膜的材料为聚丙烯酸。

8.如权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于：

所述有机绝缘膜的厚度为

9.如权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于：

所述保护膜采用无机绝缘材料，其厚度为

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅电极、栅线和栅焊盘；

在形成有栅电极、栅线和栅焊盘的基板上形成栅绝缘层；

在形成有栅绝缘层的基板上形成半导体层、源电极、漏电极、数据线和数据焊盘；

在形成有半导体层、源电极、漏电极、数据线和数据焊盘的基板上形成无机绝缘膜；

在形成有无机绝缘膜的基板上形成有机绝缘膜，对有机绝缘膜和无机绝缘膜进行构图，以形成第一接触孔，并暴露栅焊盘区域的栅绝缘层和数据焊盘；

在形成有有机绝缘膜的基板上形成像素电极，像素电极通过第一接触孔与漏电极电连接；

在形成有像素电极的基板上形成保护膜，并对保护膜进行构图，以形成第二接触孔和第三接触孔；

在形成有保护膜的基板上形成公共电极、栅焊盘电极和数据焊盘电极，公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极，栅焊盘电极通过第二接触孔与栅焊盘电连接，数据焊盘电极通过第三接触孔与数据焊盘电连接。