[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

交叉参考相关申请

2011年4月21日提交的日本专利申请第2011-095457号包括说明书、附图和摘要的公开内容通过引用全文并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造技术，尤其涉及应用于在其外围含有多条引线(外部端子)的外围型半导体器件时有效的技术。

背景技术

在QFN(四方扁平无引线封装)型半导体器件的制造中，公开了模制从而形成用来密封半导体芯片的树脂密封体，然后沿着位于沿着树脂密封体的外边缘的线段(模制线)的内部的切割线同时切割树脂密封体的外围部分和引线框架的技术。

[专利文献1]

日本已公开专利第2004-24233号

发明内容

在QFN型半导体器件中，在平面图中在半导体器件的外围处排列着用作外部端子的多条引线。当要安装在半导体器件中的半导体芯片的外部尺度比半导体芯片和引线经由导线相互连接和半导体芯片要安装在上面的芯片安装部分(管芯焊盘)的外部尺度小得多时，取决于半导体芯片的外部尺度地增加导线的长度。

因此，本发明人对减小芯片安装部分(管芯焊盘)的外部尺度和增加每条引线的长度(缩短引线的端部与半导体芯片之间的距离)作了研究，以便减小导线长度。

但是，增加每条引线的长度(减小管芯焊盘的外部尺度)导致支承半导体芯片要安装在上面的芯片安装部分(管芯焊盘)的悬空引线(suspension lead)的长度增加。

近年来，随着半导体器件的功能不断发展，半导体芯片产生的热量趋向于增加。因此，也需要提高半导体器件的散热性(减小热阻值)。本发明人也对使芯片安装部分暴露在密封体的外面的结构作了研究，以便提高半导体器件的散热性，但发现当由于热影响而发生膨胀(尤其，沿着悬空引线的延伸方向膨胀)时，如上所述悬空引线的长度增加使悬空引线挠曲。在半导体器件的制造步骤中悬空引线的挠曲可能会引起各种问题。

本发明就是在考虑了上述问题之后作出的。本发明的一个目的是提供能够抑制悬空引线挠曲的技术。

本发明的另一个目的是提供能够制造具有提高的可靠性的半导体器件的技术。

本发明的上面和其它目的和新特征可以从本文的描述和附图中明显看出。

下面简要概括本文公开的发明当中的典型发明。

一种按照典型实施例制造半导体器件的方法具有如下步骤：(a)提供含有管芯焊盘、多条悬空引线、多条第一引线、和多条第二引线的引线框架；(b)这样将半导体芯片安装在管芯焊盘上，使半导体芯片的背表面面对管芯焊盘的上表面；(c)经由多条导线分别将多个接合焊盘与多条第一引线电连接；以及(d)利用第一模制模具和第二模制模具夹紧其上具有半导体芯片的引线框架拥有的多条悬空引线的一部分、多条第一引线的一部分、和多条第二引线的一部分，并将树脂供应给模制模具形成的空腔部分，从而形成这样的密封体，使管芯焊盘的下表面、多条悬空引线的所述部分、多条第一引线的所述部分、和多条第二引线的所述部分暴露出来。多条悬空引线各自在平面图中从管芯焊盘延伸到密封体的多个角部，和多条悬空引线各自含有与管芯焊盘连接的一个端部、与一个端部相对的另一个端部、和位于一个端部与另一个端部之间的中间部。一些第二引线连接在每条悬空引线的中间部处，或连接在每条悬空引线相对于中间部的管芯焊盘一侧处。

一种按照另一个实施例制造半导体器件的方法具有如下步骤：(a)提供含有管芯焊盘、多条悬空引线、多条第一引线、和多条第二引线的引线框架；(b)这样将半导体芯片安装在管芯焊盘上，使半导体芯片的背表面面对管芯焊盘的上表面；(c)利用夹具和平台夹紧多条悬空引线的一部分、多条第一引线的一部分、和多条第二引线的一部分，以便经由多条导线分别将多个接合焊盘与多条第一引线电连接；以及(d)形成这样的密封体，使管芯焊盘的下表面、多条悬空引线的一部分、多条第一引线的一部分、和多条第二引线的一部分从密封体中暴露出来。而且，多条悬空引线各自在平面图中从管芯焊盘延伸到密封体的多个角部。多条悬空引线各自含有与管芯焊盘连接的一个端部、与一个端部相对的另一个端部、和位于一个端部与另一个端部之间的中间部。一些第二引线连接在每条悬空引线的中间部处，或连接在每条悬空引线相对于中间部的管芯焊盘一侧处。