[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 201210118919.1 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN102751205A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 藤泽敦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包含如下步骤:
(a)提供引线框架,所述引线框架含有管芯焊盘、支承所述管芯焊盘的多条悬空引线、与所述管芯焊盘隔开并安排成与所述管芯焊盘相邻的多条第一引线、以及与所述管芯焊盘隔开并支承所述悬空引线的多条第二引线;
(b)在步骤(a)之后,将半导体芯片安装在所述管芯焊盘的上表面上,使所述半导体芯片的背表面面对所述管芯焊盘的上表面,所述半导体芯片具有前表面、在所述前表面上形成的多个接合焊盘、以及与所述前表面相对的所述背表面;
(c)在步骤(b)之后,经由多条导线分别将所述接合焊盘与第一引线电连接;以及
(d)在步骤(c)之后,将其上含有所述半导体芯片的所述引线框架放置在含有凹进部分的第一模制模具与面对第一模制模具的第二模制模具之间,利用第一模制模具和第二模制模具夹紧每条所述悬空引线的一部分、每条第一引线的一部分、和每条第二引线的一部分,将树脂供应给所述凹进部分以便用所述树脂密封所述半导体芯片和所述导线,使所述管芯焊盘的与所述上表面相对的下表面、每条所述悬空引线的所述一部分、每条第一引线的所述一部分、和每条第二引线的所述一部分暴露出来,从而形成密封体,
其中所述密封体在平面图中的形状由四边形组成;
其中所述悬空引线在平面图中从所述管芯焊盘延伸到所述密封体的多个角部;
其中每条所述悬空引线具有与所述管芯焊盘连接的一个端部、与所述一个端部相对的另一个端部、和位于所述一个端部与所述另一个端部之间的中间部;并且
其中一些第二引线连接在每条所述悬空引线的所述中间部处,或连接在每条所述悬空引线相对于所述中间部的所述管芯焊盘一侧处。
2.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中含有第一引线的第一引线组中的每条第一引线长于含有第二引线的第二引线组中的每条第二引线。
3.按照权利要求2所述的制造半导体器件的方法,其中第一引线组中的第一引线在长度上是不同的,并且第一引线组中的与所述悬空引线最接近的一侧的第一引线长于第二引线组中的每条第二引线。
4.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中未将所述导线与第二引线组中的每条第二引线耦合。
5.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中将所述导线与第二引线组中的一些第二引线耦合。
6.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中所述悬空引线延伸到所述密封体的所述角部,并且所述悬空引线的一部分从所述密封体的底面暴露出来。
7.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中所述悬空引线延伸到所述密封体的所述角部,所述悬空引线的一部分从所述密封体的底面暴露出来,并且所述悬空引线的暴露部分比所述悬空引线的其它部分宽。
8.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中所述悬空引线在所述密封体的所述角部处是分支的。
9.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中从所述密封体的底面暴露出来的第一引线的各自外部端子部分以交错方式排列。
10.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其中第一引线和第二引线中的每一条的外部部分从所述密封体的侧面伸出来。
11.按照权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中所述悬空引线、第一引线、和第二引线均具有第一厚度部分、和比第一厚度部分薄的第二厚度部分,并且
其中在利用第一金属模具和第二金属模具夹紧每条所述悬空引线的第一厚度部分、每条第一引线的第一厚度部分、和每条第二引线的第一厚度部分时将所述树脂供应给所述凹进部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造