[发明专利]液晶面板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶面板的制作方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是利用液晶材料的特性来显示图像的一种平板显示装置(Flat Panel Display，FPD)，其相较于其他显示装置而言具轻薄、低驱动电压及低功耗等优点，已经成为整个消费市场上的主流产品。

液晶面板是液晶显示器最主要的组成配件，其包括真空贴合的TFT阵列基板、CF基板、设置在两者之间的液晶层及配向膜。该配向膜可以设置在TFT阵列基板和/或CF基板上，用于控制液晶层的液晶分子的预定的初始状态排列，从而影响液晶面板的显示特性。因此，对配向膜的控制极其重要。

现有技术中，液晶面板中配向膜的一种制作方法是，在制作TFT阵列基板及CF基板的同时，在TFT阵列基板以及CF基板的内表面涂覆配向液，以形成配向膜。液晶面板中配向膜的另一种制作方法是，将用于聚合物配向的单体与液晶分子一起注入至真空贴合后的液晶面板内，并照射光线，使其固化，因此在TFT阵列基板与CF基板的内表面上，聚合物单体将形成配向膜，并引导液晶分子进行有规则的排列。

上述第一种制作方法中，涂覆配向液时，极容易产生静电及涂覆刷携带的杂质，而对液晶面板造成损坏；第二种制作方法虽然是非接触式形成配向膜，但是聚合物单体对于光线的吸收较敏感，所以通过光线照射形成配向膜时，不同的制程将对液晶面板的光学特性、可靠度及产能都将产生重要的影响。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种液晶面板的制作方法，旨在使得制成的液晶面板的可靠度及光学特性更佳。

本发明提供了一种液晶面板的制作方法，包括以下步骤：

在液晶中加入用于配向的聚合物单体后，将液晶注入真空贴合的TFT阵列基板与CF基板之间，形成液晶面板；

对液晶面板进行曝光处理，所述曝光的光线频谱在300-450nm之间，波长在300-400nm时的放射照度为10-30mW/cm2，对液晶面板的曝光时间为30-50s；

对曝光处理后的液晶面板进行固化处理，同时对液晶面板施加固化电压。

优选地，所述对液晶面板施加的固化电压为方波电压或者直流电压，而且其电压有效值为10-20V。

优选地，所述对曝光处理后的液晶面板进行固化处理的同时还执行步骤：

对曝光处理后的液晶面板进行加热处理，其加热的温度为30-50℃。

优选地，所述曝光的光线为：

主波长为340-350nm，1/2亮高宽为52-62nm，1/3亮高宽为70-80nm。

优选地，所述对液晶面板进行曝光处理的步骤之前还包括：

开启曝光光源，并对其发出的光线进行过滤，获得频谱在300-450nm之间的光线，波长在300-400nm时的放射照度为10-30mW/cm²。

本发明还提供了另一种液晶面板的制作方法，包括以下步骤：

在液晶中加入用于配向的聚合物单体后，将液晶注入真空贴合的TFT阵列基板与CF基板之间，形成液晶面板；

对液晶面板进行曝光处理，所述曝光的光线频谱在300-450nm之间，波长在300-400nm时的放射照度为5-15mW/cm²，对液晶面板的曝光时间为40-60s；

对曝光处理后的液晶面板进行固化处理，同时对液晶面板施加固化电压。

优选地，所述对液晶面板施加固化电压为方波电压或者直流电压，而且其电压有效值为10-20V。

优选地，所述对曝光处理后的液晶面板进行固化处理的同时还执行步骤：

对曝光处理后的液晶面板进行加热处理，其加热的温度为30-50℃。

优选地，所述曝光的光线为：

主波长为315-325nm，1/2亮高宽为35-45nm，1/3亮高宽为44-54nm。

优选地，所述对液晶面板进行曝光处理的步骤之前还包括：

开启曝光光源，并对其发出的光线进行过滤，获得频谱在300-450nm之间的光线，且波长在300-400nm时的放射照度为5-15mW/cm²。

本发明采用合适的光线结合与其相应的制程，使得该液晶面板在对比度及液晶响应度上的效果更佳。

附图说明

图1是本发明液晶面板的制作方法第一实施例的流程示意图；