[发明专利]脉冲功率晶闸管在审
| 申请号： | 201210117712.2 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378144A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 颜家圣;张桥;刘小俐;肖彦;吴拥军 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/08 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 功率 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种脉冲功率晶闸管，属于大功率半导体开关器件，包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，四层为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N2阴极区，三个端子分别为阳极A、阴极K和门极G，其特征是：所述的N2阴极区位于以P2短基区中心为圆心的圆环形区域内，且在N2阴极区内形成相互隔离的阴极小元胞，该各阴极小元胞并联形成阴极K；门极G位于N2阴极区的中心处。
2.根据权利要求1所述的脉冲功率晶闸管，其特征在于：所述的阴极小元胞的形状和尺寸是相同的，在N2阴极区内表面均匀排列。
3.根据权利要求1或2所述的脉冲功率晶闸管，其特征在于：所述的阴极小元胞在N2阴极区内表面呈同心圆分层排列。
4.根据权利要求1或2所述的脉冲功率晶闸管，其特征在于：所述的各阴极小元胞是通过挖槽刻蚀芯片表面PN结成形的。
5.根据权利要求1或2所述的脉冲功率晶闸管，其特征在于：所述的芯片阳极区P1的杂质浓度高于P2区，P1区的结深比P2区浅。
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