[发明专利]开口的形成方法有效
| 申请号： | 201210114819.1 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103377913A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 形成 方法 | ||
1.一种开口的形成方法，其特征在于，包括，
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成金属导电层；
在金属导电层上形成介电层后，在介电层内形成开口，所述开口暴露出金属导电层表面，所述金属导电层表面具有反应残留物，开口侧壁具有缺陷；
采用第一气体去除开口底部金属导电层上的反应残留物；
采用第二气体修复开口侧壁缺陷；
在第一气体和第二气体处理后，采用第三气体去除金属导电层表面的聚合物。
2.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述第一气体是CO与N2的混合气体。
3.根据权利要求2所述的开口形成方法，其特征在于，CO的流量为10sccm～200sccm，N2的流量为100sccm～500sccm，第一气体处理采用的压力为10Torr～100Torr，功率为100W～500W，射频功率为2MHz～60MHz，处理时间为8s～60s。
4.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述第二气体是CH4与N2的混合气体。
5.根据权利要求4所述的开口形成方法，其特征在于，CH4的流量为10sccm～200sccm，N2的流量为100sccm～500sccm，第二气体处理采用的压力为10Torr～100Torr，功率为100W～500W，射频功率为2MHz～60MHz，处理的时间为8s～60s。
6.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述第三气体是N2。
7.根据权利要求6所述的开口的形成方法，其特征在于，N2的流量为100sccm～500sccm，压力为10Torr～100Torr，功率为100W～500W，射频功率为2MHz～60MHz，处理的时间为8s～60s。
8.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，形成开口的步骤包括：
在所述介电层上形成图形化掩膜层；
以图形化掩膜层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀，在所述介电层内形成开口；
去除图形化掩膜层。
9.根据权利要求8所述的开口的形成方法，其特征在于，刻蚀介电层采用的气体含氟和氧。
10.根据权利要求1所述的开口的形成方法，其特征在于，所述介电层为低k材料或超低k材料。
11.根据权利要求10所述的开口的形成方法，其特征在于，所述低k材料为SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO或者SiCON中的一种。
12.根据权利要求10所述的开口的形成方法，其特征在于，所述超低k材料为黑钻石。
13.根据权利要求8所述的开口的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮化硼、氮化钛、氮化钽或金属中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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