[发明专利]掩膜及其制造方法有效
申请号: | 201210109750.3 | 申请日: | 2012-04-12 |
公开(公告)号: | CN102645838A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 萧智鸿;张玮志;翁照钦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/54;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种掩膜及其制造方法。
背景技术
现今掩膜的制造流程主要是在基板上形成光阻层后,利用曝光机曝出所需的图案,接着,使用显影液留下需要的光阻图案。若要利用金属制作掩膜,则需利用蒸镀或溅镀将金属覆盖在基板上,再使用清洁剂(stripper)将光阻去除,留下金属图案以完成掩膜。由于金属易与大气起反应且容易剥落,故通常会在掩膜表面进行表面硬化处理(hard coating),以提高掩膜耐久度及使用次数。目前,亦有掩膜是使用黑色光阻以省去制造金属掩膜的步骤,但此类掩膜仍需进行表面硬化处理以提高耐用度。
由上述的工艺可知,在掩膜的制造过程中需要使用大量的化学溶剂,废液处理对环境造成极大的负担。此外,上述工艺中,需要使用到涂布机、烘箱、曝光机、显影机、蒸镀机以及去光阻机,不但所需设备众多且生产流程繁复。并且,在蒸镀或溅镀金属的过程中,材料使用率偏低使得制造成本增加。另外,由于光阻与金属的化学稳定性不佳,且硬度不够,因此尚需对掩膜表面进行表面硬化处理来当作金属与黑色光阻的保护层,增加了工序与成本。
发明内容
本发明提供一种掩膜的制造方法,其可减少化学溶剂的使用量、节省成本且工艺简单。
本发明提供一种掩膜,其制造容易,成本低且耐用度高。
本发明提出一种掩膜的制造方法。首先,提供一透明基板,透明基板具有一图案区以及一非图案区。接着,在透明基板上配置一玻璃料层。再来,固化玻璃料层,以形成一玻璃胶层,其中玻璃胶层是不透光状态。最后,将位于图案区的玻璃胶层转换为透光状态,以形成一图案化玻璃胶层。
在本发明的一实施例中,上述的固化玻璃料层的方法包括烧结工艺。
在本发明的一实施例中,上述的固化玻璃料层的方法包括前段烧结(pre-sintering)工艺,以去除玻璃料层的一溶剂;以及后段烧结(post-sintering)工艺,以形成玻璃胶层。
在本发明的一实施例中,上述的转换该玻璃胶层为透光状态的方法包括照射一光源在图案区的玻璃胶层。其中光源包括激光或红外线。
在本发明的一实施例中,上述的配置玻璃料层的方法为旋转涂布或网版印刷。
在本发明的一实施例中,上述的玻璃胶层包含总重量百分比低于25%的氧化锰(MnOX)、氧化锌(ZnO)与氧化镁(MgO)。
本发明更提出一种掩膜,包括一透明基板以及一图案化玻璃胶层。透明基板具有一图案区以及一非图案区。图案化玻璃胶层设置于透明基板上,其中位于图案区的部分为透光状态,而位于非图案区的部分是不透光状态。
在本发明的一实施例中,上述的图案化玻璃胶层位于图案区的部分通过一光源将一玻璃胶层从不透光状态转换为透光状态。其中光源包括激光或红外线。
在本发明的一实施例中,上述的玻璃胶层包含总重量百分比低于25%的氧化锰(MnOX)、氧化锌(ZnO)与氧化镁(MgO)。
在本发明的一实施例中,上述的玻璃胶层包含总重量百分比低于10%的氧化锰(MnOX)。
在本发明的一实施例中,上述的玻璃胶层包含总重量百分比低于10%的氧化锌(ZnO)。
在本发明的一实施例中,上述的玻璃胶层包含总重量百分比低于5%的氧化镁(MgO)。
在本发明的一实施例中,上述的图案化玻璃胶层远离透明基板的表面为平滑表面。
基于上述,本发明直接将位于图案区上的玻璃胶层由不透光状态转变为透光状态,以制成掩膜,可简化流程、减少化学药剂的使用量、提高材料使用率以及降低成本。并且,由于玻璃胶层的化学稳定性及强度较佳,故可省去表面硬化处理的工序。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1E是依照本发明的一实施例的一种掩膜的制造方法的流程示意图;
图1F是图1E的A-A’线段截面示意图。
其中,附图标记
10:光源
100:掩膜
110:透明基板
112:图案区
114:非图案区
120:玻璃料层
130:玻璃胶层
140:图案化玻璃胶层
142:透光区
144:不透光区
S:烧结工艺
具体实施方式
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备