[发明专利]阈值电压退化测量电路有效
| 申请号： | 201210104045.4 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102636678A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 洪杰;何燕冬;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 退化 测量 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种阈值电压退化测量电路，其特征在于，所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和漏极同时连接第二直流电压，源极和衬底同时连接输出端。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述两个串联的MOS管的沟道长度相同，且具有相同的宽长比。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述两个串联的MOS管均为PMOS管或均为NMOS管。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，当为PMOS管时，所述源极电压为电源电压VDD；当为NMOS管时，所述源极电压为地电压。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，通过测量所述输出端的电压变化确定所述被测管的阈值电压退化情况。
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