[发明专利]一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法有效
| 申请号： | 201210102398.0 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623639A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;冯翔;林广庆;吕国强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一步 实现 图案 修饰 界面 有机 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质量比混合溶解于有机溶剂中配成质量百分浓度0.5-5％的有机溶液，该有机溶液通过滴膜静置法均匀滴至已表面处理过并预留有金电极且呈15-30°倾角置放的硅基片上，脱溶干燥后得到图案化的并有自修饰界面的有机半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的高分子聚合物选自聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述的有机溶剂选自氯苯或二氯苯。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：Tips-并五苯和高分子聚合物在有机溶剂中的质量百分浓度为1-4％。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于：Tips-并五苯和高分子聚合物在有机溶剂中的质量百分浓度为2-3％。
6.一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质量比混合溶解于有机溶剂中配成质量百分浓度0.5-5％的有机溶液，该有机溶液通过高速旋涂法涂布到已表面处理过的硅基片上，脱溶干燥后得到图案化的并有自修饰界面的有机半导体薄膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的高分子聚合物选自聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：所述的有机溶剂选自氯苯或二氯苯。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的Tips-并五苯和高分子聚合物在有机溶剂中的质量百分浓度为1-4％。
10.根据权利要求6或9所述的制备方法，其特征在于：所述的Tips-并五苯和高分子聚合物在有机溶剂中的质量百分浓度为2-3％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
