[发明专利]一种制备无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的方法

权利要求书

1.一种制备无定形碳牺牲栅极结构的浅结和侧墙的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

步骤1，对具有栅极预制备结构的硅衬底注入离子形成浅结，所述栅极设置在硅衬底的P型或N型阱区上，所述栅极预制备结构为无定形碳材料，所述栅极预制备结构和硅衬底之间还设有栅氧化物层；

步骤2，在O₂气氛环境下制备成型栅极，去除硅衬底表面粘污和制备成型栅极过程中暴露出的栅氧化层；

步骤3，在硅衬底表面和栅极表面依次淀积第一侧墙层和第二侧墙层；

步骤4，对侧墙进行刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙为氧化物材质。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙为氮化硅材质。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成浅结过程中，P型阱区上栅极预制备结构选用N型离子掺杂，N型阱区上栅极预制备结构选用P型离子掺杂。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行N型离子掺杂时，用光刻胶遮挡N型阱区及其上的栅极预制备结构；进行P型离子掺杂时，用光刻胶遮挡P型阱区及其上的栅极预制备结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙层和第二侧墙层采用干法刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。