[发明专利]机电变换器及其制作方法

权利要求书

1.一种机电变换器，包括：

衬底；

布置在所述衬底上的第一电极；以及

振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述薄膜与所述第一电极之间具有间隙，其中

所述第一电极具有6nm RMS(均方根)或更小的表面粗糙度值。

2.根据权利要求1所述的机电变换器，其中所述第一电极在与所述衬底之间具有第一绝缘膜的情况下被布置在所述衬底上。

3.根据权利要求1或2所述的机电变换器，还包括：

在所述第一电极上的第二绝缘膜，其中

所述间隙被形成在所述第二绝缘膜与第一薄膜之间。

4.根据权利要求1所述的机电变换器，其中

所述薄膜由第一薄膜和第二薄膜组成，其中所述第一薄膜被布置在所述第二电极的间隙一侧上，并且所述第二薄膜被布置在所述第二电极的与所述间隙相对的一侧上；以及

所述振动膜由所述第一薄膜、所述第二电极和所述第二薄膜构成。

5.根据权利要求1所述的机电变换器，其中所述第一电极由钛或包含钛的合金制成。

6.根据权利要求1所述的机电变换器，其中所述第一电极具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的机电变换器，其中所述间隙是通过在形成所述薄膜之后刻蚀在所述第一电极或布置在所述第一电极上的第二绝缘膜上形成的牺牲层来形成的。

8.一种制作机电变换器的方法，包括：

在衬底上形成第一电极；

在所述第一电极上形成牺牲层的膜；

在所述牺牲层上形成薄膜；

在所述薄膜上形成第二电极；以及

在所述薄膜中形成刻蚀孔并且通过所述刻蚀孔去除所述牺牲层，

其中所述第一电极被形成为具有6nm RMS(均方根)或更小的表面粗糙度值。

9.根据权利要求8所述的制作机电变换器的方法，其中

第一绝缘膜被形成在所述衬底上；并且

所述第一电极被形成在所述第一绝缘膜上。

10.根据权利要求8或9所述的制作机电变换器的方法，其中

第二绝缘膜被形成在所述第一电极上；并且

所述牺牲层被形成在所述第二绝缘膜上。

11.根据权利要求8所述的制作机电变换器的方法，还包括：

在所述牺牲层上形成第一薄膜；以及

在所述第二电极上形成第二薄膜。

12.根据权利要求11所述的制作机电变换器的方法，还包括：

密封所述刻蚀孔，其中

在形成所述第二薄膜时执行所述刻蚀孔的密封。

13.根据权利要求8所述的制作机电变换器的方法，其中

所述第一电极由钛或包含钛的合金制成。

14.根据权利要求8所述的制作机电变换器的方法，其中

所述第一电极具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度。