[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210092227.4 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367431A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS晶体管，包括具有阱区的半导体衬底、位于所述半导体衬底表面内的源区和漏区以及位于所述半导体衬底上方的栅极，其特征在于，所述漏区包括漏极漂移区、位于漏极漂移区内的漏极接触区以及位于漏极漂移区内并靠近栅极的漏极调谐区，所述漏极调谐区与漏极接触区的掺杂类型相反。
2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱区和漏极调谐区为P型，所述源区、漏极漂移区和漏极接触区为N型。
3.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱区和漏极调谐区为N型，所述源区、漏极漂移区和漏极接触区为P型。
4.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漏极漂移区的掺杂浓度低于所述漏极调谐区、源区、漏极接触区与阱区。
5.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漏极调谐区与源区、漏极接触区的掺杂浓度数量级相同。
6.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漏极调谐区包括漏极调谐漂移区以及位于所述漏极调谐漂移区的漏极调谐接触区。
7.一种LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱区；
在所述半导体衬底表面的一侧阱区中形成比所述阱区掺杂浓度低的漏极漂移区；
在所述半导体衬底上方形成栅极结构；
以所述栅极为掩膜，以高于所述漏极漂移区的掺杂浓度，在另一侧阱区中形成源区以及在所述漏极漂移区中形成漏极接触区以及漏极调谐区。
8.如权利要求7所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述阱区和漏极调谐区为P型，所述源区、漏极漂移区和漏极接触区为N型。
9.如权利要求7所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述阱区和漏极调谐区为N型，所述源区、漏极漂移区和漏极接触区为P型。
10.如权利要求7所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述阱区之后，漏极漂移区之前，在所述半导体衬底中形成隔离结构。
11.如权利要求7所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述漏极调谐区包括漏极调谐漂移区以及位于所述漏极调谐漂移区的漏极调谐接触区。
12.如权利要求7所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源区引出源极，在所述漏极接触区引出漏极，在所述漏极调谐区引出控制极。
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