[发明专利]减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法有效
| 申请号： | 201210090903.4 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102610528A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 半导体器件 诱导 泄漏 方法 mos 器件 制造 | ||
1.一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于包括：
栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；
光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；
第一侧壁刻蚀步骤，用于利用所述光刻胶对露出的栅极的所述另一栅极侧墙薄膜进行刻蚀；
光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；以及
第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除光刻胶之后对栅极侧墙薄膜进行刻蚀，其中除了栅极侧壁上的栅极侧墙薄膜之外的其它的栅极侧墙薄膜被去除。
2.根据权利要求1所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，在所述第一侧壁刻蚀步骤中的横向刻蚀速度与纵向刻蚀速度的比值高于所述第二侧壁刻蚀步骤中的横向刻蚀速度与纵向刻蚀速度的比值。
3.根据权利要求2所述的减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于还包括：控制所述第一侧壁刻蚀步骤的横向刻蚀速度和纵向刻蚀速度、以及所述第二侧壁刻蚀步骤的横向刻蚀速度和纵向刻蚀速度，以使得所述第二侧壁刻蚀步骤之后得到栅极两侧的侧墙的宽度之和等于预定值。
4.一种MOS器件制造方法，其特征在于包括：
栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；
光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖漏极侧的栅极侧壁并露出源极侧的栅极侧壁；
第一侧壁刻蚀步骤，用于利用所述光刻胶对源极侧的栅极侧墙薄膜进行刻蚀；
光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；
第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除光刻胶之后对栅极侧墙薄膜进行刻蚀，其中除了栅极侧壁上的栅极侧墙薄膜之外的其它的栅极侧墙薄膜被去除；
源漏掺杂步骤，用于在所述第二侧壁刻蚀步骤之后对漏极和源极执行掺杂。
5.根据权利要求5所述的MOS器件制造方法，其特征在于，所述第一侧壁刻蚀步骤中的横向刻蚀速度与纵向刻蚀速度的比值高于所述第二侧壁刻蚀步骤中的横向刻蚀速度与纵向刻蚀速度的比值。
6.根据权利要求5所述的MOS器件制造方法，其特征在于，控制所述第一侧壁刻蚀步骤的横向刻蚀速度和纵向刻蚀速度、以及所述第二侧壁刻蚀步骤的横向刻蚀速度和纵向刻蚀速度，以使得所述第二侧壁刻蚀步骤之后得到栅极两侧的侧墙的宽度之和等于预定值。
7.根据权利要求4至6之一所述的MOS器件制造方法，其特征在于还包括退火步骤。
8.一种根据权利要求4至7之一所述的MOS器件制造方法制成的MOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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