[发明专利]发光装置及电子机器有效
申请号: | 201210090813.5 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN102610632A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 洼田岳彦;神田荣二;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子 机器 | ||
本申请是申请号为2007100040530(申请日:2007年1月23日)同名申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及利用有机EL(Electro Luminescent)材料等发光材料的发光装置的结构。
背景技术
在现有技术中,有人提出了有源矩阵方式的发光装置的方案,该方案给各发光元件设置旨在控制供给发光元件的电流量的晶体管(例如专利文献1)。在这种发光装置中,例如为了提高开口率(发光元件的排列区域中,来自各发光元件的发射光实际射出的区域的比例),在基板上层叠晶体管及发光元件的各层,以及为了将它们电连接的布线。
专利文献1:特开2004-119219号公报
可是,在各要素如上所述地层叠的结构中,相互邻接的各要素电容性地结合(即在各要素间会寄生电容)。而且,例如起因于各部的寄生电容,各种信号的波形钝化后,就往往妨碍发光元件的高精度的控制。
发明内容
面对这种情况,本发明的一种形态,其目的就在于解决降低发光装置的各部寄生的电容的影响的这一课题。
本发明的第1样态,其特征在于:具备在第1电极和第2电极之间介有发光层的发光元件、控制供给所述发光元件的电流量的驱动晶体管、与所述驱动晶体管的栅电极电连接的电容元件(例如图2的电容元件C1及图21或图32的电容元件C2);所述第1电极,和所述电容元件重叠。
在该样态中,由于和电容元件重叠地形成第1电极,所以即使不与用于控制发光元件的各种开关元件重叠地形成第1电极,也能很容易地确保第1电极的面积。这样,能够一方面充分地确保第1电极的面积,一方面减少第1电极和开关元件之间寄生的电容(进而防止起因于寄生电容的开关动作的延迟)。
例如,在设置与选择信号对应地成为导通状态或截止状态的选择晶体管(例如图2及图21的选择晶体管Tsl),所述驱动晶体管的栅电极设定成与通过成为导通状态的所述选择晶体管做媒介,由数据线供给的数据信号对应的电位的结构中,不与所述选择晶体管重叠地形成所述第1电极。采用该样态后,因为能够减少第1电极和选择晶体管之间寄生的电容,所以能够使选择晶体管迅速地(即不发生起因于寄生电容的开关动作的延迟地)动作。
另外,在设置与初始化信号对应地成为导通状态或截止状态的初始化晶体管(例如图2的初始化晶体管Tint),所述驱动晶体管的栅电极和漏极通过成为导通状态的所述初始化晶体管做媒介电气性连接的结构中,不与所述初始化晶体管重叠地形成所述第1电极。采用该样态后,因为能够减少第1电极和初始化晶体管之间寄生的电容,所以能够使初始化晶体管迅速地动作。此外,通过初始化晶体管做媒介电气性连接的驱动晶体管的栅电极,被设定成与该驱动晶体管的阈值电压对应的电位。这样,能够补偿驱动晶体管的阈值电压的误差。
此外,电容元件被代表性地用于设定或保持驱动晶体管的栅电极的电位。例如,在一种样态中的电容元件(例如图2的电容元件C1),介于驱动晶体管的栅电极和数据线之间。在该结构中,在电容元件中的电容耦合的作用下,驱动晶体管的栅电极被设定成与数据线的电位的变动量对应的电位。另外,在其它样态中的电容元件(例如图21及图32的电容元件C2),介于驱动晶体管的栅电极和供给恒电位的布线(例如电源线)之间。在该结构中,由数据线供给驱动晶体管的栅电极的电位,被电容元件保持。
本发明的第2样态,其特征在于,具备:供给规定的电位的馈电线(例如图2及图21的馈电线15),发光层介于第1电极和第2电极之间的发光元件,控制由所述馈电线供给所述发光元件的电流量的驱动晶体管;所述馈电线,包含介于所述第1电极和所述驱动晶体管之间的部分。此外,馈电线的典型例,是供给电源电位的电源线。
采用该样态后,因为馈电线介于第1电极和驱动晶体管之间,所以和导电体不介于第1电极和驱动晶体管之间的结构相比,能够抑制两者的电容性的结合。这样,能够减少第1电极和驱动晶体管中的一个电位的变动对另一个的电位的影响。
本发明的第3样态,其特征在于,具备:供给数据信号的数据线,供给规定的电位的馈电线,发光层介于第1电极和第2电极之间的发光元件,按照数据信号控制由所述馈电线供给所述发光元件的电流量的驱动晶体管;所述馈电线,包含介于所述第1电极和所述数据线之间的部分。采用该样态后,因为馈电线介于第1电极和数据线之间,所以和导电体不介于第1电极和数据线之间的结构相比,能够抑制两者的电容性的结合。这样,能够减少第1电极和数据线中的一个电位的变动对另一个的电位的影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的