[发明专利]发光装置及电子机器有效
申请号: | 201210090813.5 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN102610632A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 洼田岳彦;神田荣二;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子 机器 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
被供给数据电位的数据线;
被供给规定电位的电源线;
在第1电极与第2电极之间配置有发光层的发光元件;
具有第1栅电极的第1晶体管;和
导通部,
所述第1晶体管经过所述导通部与所述第1电极连接,
所述电源线至少具有第1部分,
俯视观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述导通部与所述数据线之间。
2.一种发光装置,其特征在于,具备:
被供给数据电位的数据线;
被供给规定电位的电源线;
在第1电极与第2电极之间配置有发光层的发光元件;
具有第1栅电极的第1晶体管;和
第1绝缘膜,
所述第1晶体管经过形成在所述第1绝缘膜中的第1接触孔内的导电材料而与所述第1电极连接,
所述电源线至少具有第1部分,
俯视观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述第1接触孔与所述数据线之间。
3.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:所述数据线沿第1方向延伸,
所述电源线还具有沿与所述第1方向不同的第2方向延伸的第2部分,
所述电源线的所述第1部分沿所述第1方向延伸。
4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,还具有:
选择线,沿所述第2方向延伸;和
第2晶体管,具有与所述选择线连接的第2栅电极。
5.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:所述电源线的所述第1部分形成在与所述导通部相同的层。
6.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:所述第1晶体管根据所述数据电位来控制流经所述发光元件的电流,
在所述电流流经所述发光元件时,所述第1晶体管电连接在所述发光元件的所述第1电极与所述电源线之间。
7.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:还具有连接在所述第1晶体管与所述发光元件的所述第1电极之间的第3晶体管,
所述第3晶体管根据所述数据电位来控制流经所述发光元件的电流,
在所述电流流经所述发光元件时,所述第3晶体管电连接在所述发光元件的所述第1电极与所述电源线之间。
8.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:
俯视观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述第1晶体管的所述第1栅电极与所述数据线之间。
9.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,还具有:
第4晶体管,控制所述第1晶体管的所述第1栅电极与所述第1晶体管的第1漏极之间的导通状态;和
连接部,
所述第1晶体管的所述第1栅电极,经所述连接部与所述第4晶体管连接,
俯视观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述连接部与所述数据线之间。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还具有基板,
所述数据线、所述电源线及所述导通部,形成在所述基板的面上,
从垂直于所述基板的面的方向观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述导通部与所述数据线之间。
11.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,还具有基板,
所述数据线、所述电源线及所述绝缘膜,形成在所述基板的面上,
从垂直于所述基板的面的方向观察时,所述电源线的所述第1部分配置在所述第1接触孔与所述数据线之间。
12.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,俯视观察时,所述第1接触孔与所述第1电极重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210090813.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的