[发明专利]无线固态发光装置有效

专利信息
申请号: 201210089755.4 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN103247727A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 许哲铭;林良达 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 无线 固态 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种无线固态发光装置,其特征在于,包括:

一基底;

一固态发光组件,包括:

一第一型半导体层,设置在该基底之上;

一发光层,设置在部分该第一型半导体层上而裸露部分该第一型半导体层;

一第二型半导体层,设置在该发光层上;以及

一感应线圈层,设置在裸露的该第一型半导体层上,环绕该第二型半导体层,并分别电性连接该第一型半导体层和该第二型半导体层;以及

一磁场供应装置,用于对该感应线圈层提供一时变磁场而使该感应线圈层上产生一感应电流,以供应该固态发光组件。

2.根据权利要求1所述的无线固态发光装置,其中该第二型半导体层包括m个彼此互相隔离的区域,其中m为大于1的自然数。

3.根据权利要求2所述的无线固态发光装置,其中该感应线圈层电性连接该第二型半导体层的该些区域。

4.根据权利要求1~3任一所述的无线固态发光装置,其中该基底为蓝宝石基底或含硅基底。

5.根据权利要求4所述的无线固态发光装置,其中该第一型半导体层为一N型半导体层而该第二型半导体层为一P型半导体层,或该第一型半导体层为一P型半导体层而该第二型半导体层为一N型半导体层。

6.根据权利要求5所述的无线固态发光装置,其中该N型半导体层是由掺杂有N型杂质的氮化物半导体所构成。

7.根据权利要求6所述的无线固态发光装置,其中该N型半导体层包括N型氮化镓或N型氮化铟镓。

8.根据权利要求5所述的无线固态发光装置,其中该P型半导体层是由掺杂有P型杂质的氮化物半导体所构成。

9.根据权利要求8所述的无线固态发光装置,其中该P型半导体层包括P型氮化镓或P型氮化铟镓。

10.根据权利要求3所述的无线固态发光装置,其中该第一型半导体层上设有一第一电极,该第二型半导体层的该些区域上各设有一第二电极,该感应线圈层电性连接该第一电极和该些第二电极。

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