[发明专利]薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，利用CVD(Chemical Vapor Deposition)等处理，进行在被处理体上、例如半导体晶圆上形成氧化硅膜、氮化硅膜等薄膜的薄膜形成处理。在这样的薄膜形成处理中，例如通过向设定为规定温度及压力的反应室内供给处理气体，使处理气体发生热反应，利用该热反应生成的反应生成物沉积在半导体晶圆的表面上，从而在半导体晶圆的表面上形成有薄膜。

然而，由薄膜形成处理所生成的反应生成物不仅沉积(附着)在半导体晶圆的表面，也沉积(附着)在热处理装置的内部。如果在该反应生成物附着在热处理装置内的状态下继续进行薄膜形成处理，则反应生成物易于剥离而产生颗粒。另外，当该颗粒附着在半导体晶圆上后，所制造的半导体装置的成品率降低。

因此，在进行数次薄膜形成处理后，进行如下这样的热处理装置的清洗：利用加热器将反应管加热至规定温度，且向被加热后的反应管内供给清洁气体、例如氟素气体与氟化氢气体来去除(蚀刻)已附着在热处理装置内的反应生成物。

然而，在这样的薄膜形成装置的清洗中，需要进一步提高对附着在装置内部的附着物进行蚀刻的蚀刻速率。

发明内容

本发明提供能够提高对附着在装置内部的附着物进行蚀刻的蚀刻速率的薄膜形成装置的清洗方法等。

本发明的第1技术方案的薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除已附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。

本发明的第2技术方案的薄膜形成方法，其中，该薄膜形成方法具有：

在被处理体上形成薄膜的薄膜形成工序；

利用本发明的第1技术方案的薄膜形成装置的清洗方法去除已附着在装置内部的附着物来清洗薄膜形成装置的内部的工序。

本发明的第3技术方案的薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中，该薄膜形成装置具有：

将上述反应室内加热到规定的温度的加热部件；

向上述反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体的清洁气体供给部件；

控制薄膜形成装置的各部分的控制部件，

上述控制部件以如下方式控制上述清洁气体供给部件：

在控制上述加热单元将反应室内加热至规定的温度的状态下，向该反应室内供给清洁气体且使该清洁气体活化，利用该活化了的清洁气体去除附着物来清洗薄膜形成装置的内部。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的热处理装置的图。

图2是表示图1的控制部的结构的图。

图3是说明氮化硅膜的形成方法的图。

图4是表示对氮化硅膜进行蚀刻的蚀刻速率的图。

具体实施方式

以下，说明本发明的薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。在本实施方式中，以本发明的薄膜形成装置使用图1所示的分批式的立式热处理装置而在半导体晶圆上形成氮化硅膜的情况为例说明本发明。

如图1所示，热处理装置1具有形成反应室的反应管2。反应管2例如形成为长度方向为铅垂方向的大致圆筒状。反应管2由耐热及耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成。

在反应管2的上端，设有以朝向上端侧缩径的方式形成为大致圆锥状的顶部3。在顶部3的中央设有用于排出反应管2内的气体的排气口4，排气口4气密地与排气管5连接。在排气管5上设有未图示的阀、后述的真空泵127等压力调整机构，将反应管2内控制为所期望的压力(真空度)。

在反应管2的下方配置有盖体6。盖体6是由耐热及耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成的。另外，盖体6能够利用后述的舟皿升降机128上下移动。然后，当利用舟皿升降机128使盖体6上升时，反应管2的下方侧(炉口部分)关闭，当利用舟皿升降机128使盖体6下降时，反应管2的下方侧(炉口部分)敞开。

在盖体6的上部设有保温筒7。保温筒7主要是由加热器8和支承体9构成，该加热器8呈平面状，由防止由从反应管2的炉口部分的散热导致的反应管2的温度下降的电阻发热体构成，该支承体9呈筒状，用于将该加热器8支承在距盖体6的上表面规定的高度的位置。