[发明专利]薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置

权利要求书

1.一种薄膜形成装置的清洗方法，该清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除已附着在装置内部的附着物，其中，

该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。

2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中，

在上述清洗工序中，将上述清洁气体用稀释气体稀释，并将该稀释后的清洁气体供给至上述反应室内。

3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中，

上述稀释气体使用非活性气体。

4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中，

形成在上述被处理体上的薄膜是氮化硅膜，

在上述清洗工序中，利用上述清洁气体去除因在上述被处理体上形成氮化硅膜而已附着在薄膜形成装置的内部的氮化硅。

5.一种薄膜形成方法，其中，

该薄膜形成方法具有：

在被处理体上形成薄膜的薄膜形成工序；

利用权利要求1所述的薄膜形成装置的清洗方法去除已附着在装置内部的附着物来清洗薄膜形成装置的内部的工序。

6.一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中，

该薄膜形成装置具有：

将上述反应室内加热到规定的温度的加热部件；

向上述反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体的清洁气体供给部件；

控制薄膜形成装置的各部分的控制部件，

上述控制部件以如下方式控制上述清洁气体供给部件：

在控制上述加热单元将反应室内加热至规定的温度的状态下，向该反应室内供给清洁气体且使该清洁气体活化，利用该活化了的清洁气体去除附着物，清洗薄膜形成装置的内部。