[发明专利]超薄基板的封装方法有效
申请号: | 201210088552.3 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103187319A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 古永延;施莹哲 | 申请(专利权)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄 封装 方法 | ||
1.一种超薄基板的封装方法,包括:
提供一暂时性载板;
形成至少一层的金属层及至少一层的介电层,用以制作所述超薄基板,所述超薄基板具有至少一个的封装单元,用以封装至少一个的芯片;
其特征在于,包括如下步骤:
在所述超薄基板表面形成至少一个的焊垫层;
将所述超薄基板与所述暂时性载板分离;
对所述超薄基板进行测试,用以汰选所述至少一个的封装单元中具有缺陷的封装单元;
以模封板的尺寸为单位,切割所述超薄基板,用以筛选出不具有缺陷的封装单元;
以不具有缺陷的所述封装单元,各别以覆晶接合方式与所述芯片接合;以及
对所述模封板上已覆晶接合的所述芯片进行模封。
2.如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,对所述超薄基板进行测试的步骤中,进一步包括以一夹持系统夹持所述超薄基板,同时至少露出所述超薄基板的上下表面的所述焊垫层的步骤,以进行测试。
3.如权利要求2所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在夹持所述超薄基板的步骤中,进一步包括控制所述超薄基板所受张力及所述超薄基板的接触电阻为一预定值的步骤。
4.如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,所述封装单元透过所述焊垫层,以覆晶接合方式与所述芯片接合。
5.如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,所述模封采用移转模封。
6.如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在进行所述模封的步骤后,还包括一对所述封装单元各别与复数个锡球接合形成一球门阵列的步骤。
7.如权利要求6所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在形成所述球门阵列的步骤后,还包括一以所述封装单元为单位,切割所述模封板的步骤。
8.如权利要求7所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在切割所述模封板的步骤后,还包括一各别对所述已模封的芯片进行测试的步骤。
9.如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在进行所述模封的步骤前,还包括一对所述封装单元各别与一球门阵列封装组件接合的步骤,所述步骤是在所述封装单元以覆晶接合方式与所述芯片接合的同一表面进行。
10..如权利要求9所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在进行与所述球门阵列封装组件接合的步骤前,进一步包括对所述封装单元进行助焊剂或锡膏印刷的步骤。
11..如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在不具有缺陷的所述封装单元各别以覆晶接合方式与所述芯片接合的步骤前,还包括一对所述封装单元各别与一球门阵列封装组件接合的步骤。
12..如权利要求11所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,与所述球门阵列封装组件接合的步骤是在所述封装单元各别以覆晶接合方式与所述芯片接合的同一表面进行。
13..如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在不具有缺陷的所述封装单元各别以覆晶接合方式与所述芯片接合的步骤中,同时还包括对所述封装单元各别进行与一球门阵列封装组件接合的步骤,所述球门阵列封装组件是在所述封装单元,各别以覆晶接合方式与所述芯片接合的同一表面进行接合。
14..如权利要求1所述的超薄基板的封装方法,其特征在于,在以不具有缺陷的所述封装单元各别以覆晶接合方式与所述芯片接合的步骤中,所述覆晶接合方式是以金凸块进行接合。
15.一种超薄基板的封装方法,包括:
提供一暂时性载板;
形成至少一层的金属层及至少一层的介电层,用以制作所述超薄基板,所述超薄基板具有至少一个的封装单元,用以封装至少一个的芯片;
其特征在于,包括如下步骤:
在所述超薄基板表面形成至少一个的焊垫层;
将所述超薄基板与所述暂时性载板分离;
对所述超薄基板进行测试,用以汰选所述至少一个的封装单元中具有缺陷的封装单元;
以不具有缺陷的封装单元,各别以覆晶接合方式与所述芯片接合;以及
对所述封装单元各别与复数个锡球接合形成一球门阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造