[发明专利]一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于含有以下步骤，

首先在裸硅片上进行八字形分布激光打孔，而后进行电池片工艺：制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离；丝印段步骤为：①同时印刷背面正电极(1)和背面负电极(2)；②印刷背电场(3)；③同时印刷正面栅线(4)和正面填孔栅线(5)。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于，采用的打孔图形是八字形，中间A组孔约10个孔从硅片中心垂直向下分布，C和B组孔各约25孔处在八字形上；平均3-4根栅线打一个孔，孔径80-120um。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于，所述八字形孔连线设计是电池片的四等分点(O)连接六等分点(P)，并在基础上，O点向中间，P点向边缘偏移最大7mm。

4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于，细栅宽度50-90um，栅线条数65-80。

5.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于，所述正面的填孔栅线(5)间断分布，间距取决于细栅(4)间距，宽度的设计与位置有关，A组填孔栅线(5)宽度100-150um，B和C组填孔栅线(5)宽度150-250um，平均3-4根栅线共用一个孔。

6.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能MWT电池及制作方法，其特征在于，所述背面正电极(1)和背面负电极(2)宽度0.8-1.5mm，背面负电极(2)与背场(3)间距0.5-1mm。

7.根据权利要求1所述的-种晶硅太阳能MWT电池制作方法，其特征在于，所述背面边缘(6)和正负电极(7)的隔离，边缘隔离线距离硅片边缘100-300um，背面负电极(2)和背场(3)的隔离线处在两者间距的中线；隔离线的宽度15-30um，深度10um左右。

8.一种晶硅太阳能MWT电池，其特征在于，八字形电极分布：八字形孔连线是电池片的四等分点(O)连接六等分点(P)，并在基础上，O点向中间，P点向边缘偏移最大7mm，平均3-4根栅线打一个孔，孔径80-120um；细栅宽度50-90um，栅线条数65-80；正面的填孔栅线间断分布，间距取决于细栅(4)间距，A组填孔栅线(5)宽度100-150um，B和C组填孔栅线(5)宽度150-250um；背面正电极(1)和背面负电极(2)宽度0.8-1.5mm，背面负电极(2)与背场(3)间距0.5-1mm；背面边缘(6)和正负电极(7)的隔离，边缘隔离线距离硅片边缘100-300um，背面负电极(2)与背场(3)的隔离线处在两者间距的中线；隔离线的宽度15-30um，深度10um左右。