[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种发光装置，特别是有关于一种串联设计的发光二极管封装结构的接线配置的发光装置。

背景技术

现有串联设计的发光二极管封装结构主要具有两种类型。第一种类型为直接使用金线串联两颗以上的发光二极管芯片。然而，较长的金线需要较高的成本，且会承受更大的胶材内应力。并且，每一个发光二极管芯片具有两个焊点，为了避免伤害发光二极管芯片，进行打线制程(wire bonding)时，需调整降低相关压力参数，但会造成金线拉力降低的风险。另一种类型为在射出成形制程形成支架时，在支架上设计与发光二极管的置晶座和导电支架隔绝的安全岛，作为金线串联的中继点，上述安全岛在射出成形制程期间会设计以一额外连接部分与导线支架相连，再在后续制程截断上述连接部分。然而，上述额外连接部分会延伸至导线支架的外侧而使导线支架会具有一额外突出部分，因而产生额外的支架模具费用。并且，上述额外突出部分会影响封装结构的外观，因而需重新设计量产生产线的分类和输送带轨道。此外，上述额外突出部分会使发光二极管封装结构的电路回路经过上述额外的突出部分而不会经过原始设计在导线支架的正极或负极，以及设计在导线支架上的齐纳二极管(Zener diode)，因而会使齐纳二极管无法产生电路回路保护作用而造成发光二极管烧毁。

在此技术领域中，有需要一种串联设计的发光二极管封装结构，以提高发光二极管封装结构的使用寿命及避免增加制程成本。

发明内容

有鉴于此，本发明一实施例提供一种发光装置，包括一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于上述第一和第二置晶座上；一接合复合结构，设置在上述第一、第二置晶座之间的上述第一导线支架或上述第二导线支架其中之一的一表面上，其中上述接合复合结构包括一绝缘层；一导电层，堆栈在上述绝缘层上，其中上述导电层电性连接至上述第一发光芯片和上述第二发光芯片，以使上述第一、第二发光芯片达到串联。

本发明另一实施例提供一种发光装置，包括一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于上述第一和第二置晶座上；一接合复合结构，设置在上述第一和第二导线支架间之间的凹槽内，其中上述接合复合结构包括一绝缘层；一导电层，堆栈在上述绝缘层上，其中上述导电层电性连接至上述第一发光芯片和上述第二发光芯片，以使上述第一、第二发光芯片达到串联。

附图说明

图1a为本发明一实施例的发光装置的俯视图；

图1b为本发明一实施例的发光装置的剖面图；

图2为本发明另一实施例的发光装置的俯视图；

图3为本发明一实施例的接合复合结构的示意图。

附图标记说明：

500a～发光装置；

200～支架；

202～第一置晶座；

302～第一导线支架；

204～第二置晶座；

304～第二导线支架；

206～第一发光芯片；

208～第二发光芯片；

210～接合复合结构；

218a～第一电极；

218b～第二电极；

220a～第三电极；

220b～第四电极；

222～凹槽；

224、226、230、232、234～焊线；

228～齐纳二极管。

具体实施方式

以下以各实施例详细说明并根据附图说明的范例，做为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。另外，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未绘示或描述的组件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。