[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；

一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于该第一置晶座和第二置晶座上；以及

一接合复合结构，设置在该第一置晶座、第二置晶座之间的该第一导线支架或该第二导线支架其中之一的一表面上，其中该接合复合结构包括：

一绝缘层；以及

一导电层，堆栈在该绝缘层上，其中该导电层电性连接至该第一发光芯片和该第二发光芯片，以使该第一发光芯片、第二发光芯片达到串联。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中该绝缘层的材质包括蓝宝石、玻璃、氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中该导电层的材质为金属。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中该接合复合结构的该绝缘层位在该第一导线支架或该第二导线支架的该表面。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中该第一发光芯片具有一第一电极与一第二电极，该第二发光芯片具有一第三电极与一第四电极。

6.根据权利要求5所述的发光装置，还包括：

一第一焊线，分别电性连接该第一导线支架和该第一发光芯片的该第一电极；

一第二焊线，分别电性连接该导电层和该第一发光芯片的该第二电极；

一第三焊线，分别电性连接该导电层和该第二发光芯片的该第三电极；以及

一第四焊线，分别电性连接该第二导线支架和该第二发光芯片的该第四电极。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中该第一电极、第三电极为正极，且该第二电极、第四电极为负极。

8.根据权利要求1～7任一所述的发光装置，还包括一齐纳二极管，设置在相异于该接合复合结构所在的该第一导线支架或第二导线支架表面上。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其中该齐纳二极管电性连接该第一导线支架和第二导线支架。

10.根据权利要求8所述的发光装置，其中该齐纳二极管是一双向齐纳二极管。

11.一种发光装置，包括：

一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；

一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于该第一置晶座和第二置晶座上；以及

一接合复合结构，设置在该第一导线支架和第二导线支架间之间的凹槽内，其中该接合复合结构包括：

一绝缘层；以及

一导电层，堆栈在该绝缘层上，其中该导电层电性连接至该第一发光芯片和该第二发光芯片，以使该第一发光芯片、第二发光芯片达到串联。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中该绝缘层的材质包括蓝宝石、玻璃、氧化硅或氮化硅。

13.根据权利要求11所述的发光装置，其中该导电层的材质为金属。

14.根据权利要求11所述的发光装置，其中该第一发光芯片具有一第一电极与一第二电极，该第二发光芯片具有一第三电极与一第四电极。

15.根据权利要求14所述的发光装置，还包括：

一第一焊线，分别电性连接该第一导线支架和该第一发光芯片的该第一电极；

一第二焊线，分别电性连接该导电层和该第一发光芯片的该第二电极；

一第三焊线，分别电性连接该导电层和该第二发光芯片的该第三电极；以及

一第四焊线，分别电性连接该第二导线支架和该第二发光芯片的该第四电极。

16.根据权利要求15所述的发光装置，其中该第一电极、第三电极为正极，且该第二电极、第四电极为负极。

17.根据权利要求11～16任一所述的发光装置，还包括一齐纳二极管，设置在相异于该接合复合结构所在的该第一导线支架或第二导线支架表面上。

18.根据权利要求17所述的发光装置，其中该齐纳二极管电性连接该第一导线支架和第二导线支架。

19.根据权利要求18所述的发光装置，其中该齐纳二极管是一双向齐纳二极管。