[发明专利]一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法有效
| 申请号： | 201210077702.0 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102610493A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 无定形碳 薄膜 循环 利用 硅片 方法 | ||
1.一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在反应腔室内，采用远程系统产生等离子体或臭氧发生器产生活性的O+进行灰化工艺，以去除硅片上无定形碳层；
步骤S2：去除残余的聚合物和表面氧化物层。
2.根据权利要求1所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，还包括在所述反应腔室内通入氧气。
3.根据权利要求2所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，所述氧气的流量为1000-10000sccm。
4.根据权利要求3所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，采用湿法工艺去除去除残余的聚合物和表面氧化物层。
5.根据权利要求4所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，所述反应腔室内的温度为300-500℃。
6.根据权利要求5所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，所述反应腔室内的压力为1-10Torr。
7.根据权利要求6所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，所述灰化工艺的反应时间为0-600s。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，采用远程系统产生等离子体进行灰化工艺时，其RF功率为50-3000W。
9.根据权利要求8所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，采用远程系统产生等离子体进行灰化工艺中的O2的流量为1000-20000sccm。
10.根据权利要求1-7中任意一项所述的去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，采用臭氧发生器产生活性的O+进行灰化工艺时，其O2的流量为1000-20000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
