[发明专利]半导体纳米线少数载流子寿命的检测方法

权利要求书

1.一种半导体纳米线的少数载流子寿命检测方法，其特征在于包括以下步骤：

1)对待测纳米线或纳米线阵列进行绝缘支撑；

2)通过抛光减薄样品正面的支撑介质，使纳米线顶端裸露出来；

3)试样基片形成欧姆接触，用来作为公共下电极；

4)测量肖特基接触下单根纳米线的光电流-偏压曲线；

5)建立纳米线光电流测量体系的数值模型；

6)对单根纳米线肖特基反偏下的光生电流-偏压曲线进行拟合，得出少数载流子寿命；

7)重复步骤4)-6)，测量其它纳米线的光电流并拟合得出少数载流子寿命。

2.如权利要求书1中所述的一种半导体纳米线的少数载流子寿命检测方法，其特征在于：在步骤1)中所述的绝缘支撑使用折射率小于纳米线材料的聚合物并采用机械旋涂方法实现。

3.如权利要求书1中所述的一种半导体纳米线的少数载流子寿命检测方法，其特征在于：在步骤4)中所述的测量单根纳米线的光电流-偏压曲线时使用导电原子力显微镜；利用导电性差异区分纳米线和支撑介质；在测量时引入外接的光源，使用的激发光光子能量大于纳米线材料的能带隙。

4.如权利要求书1中所述的一种半导体纳米线的少数载流子寿命检测方法，其特征在于：步骤5)中所述的数值模型中包含了针尖-纳米线-基片的能带结构、掺杂状况、尺寸等实际参数；以光激发功率和少数载流子寿命作为可调参数对光电流-电压曲线进行定量拟合，拟合步骤是首先调节光激发功率来实现光生电流的匹配，然后调节少数载流子寿命使得计算的光电流-电压关系与实测一致，此时的寿命参数即为待测纳米线的少数载流子寿命。