[发明专利]真空干燥方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于干燥半导体产品的方法，尤其涉及一种在半导体产品经过清洗液清洗后进行的真空干燥方法。 

背景技术

随着亚微型尺寸的高密度电路的发展，将半导体产品表面上的不必要的污染物去掉显得非常必要，这些半导体产品例如是高密度芯片、晶片或用于磁盘驱动器上的磁头，等等。 

其中，随着磁头的加工精度的发展，磁头的空气承载面(ABS)上的图案变得越来越复杂。因此，形成该ABS的蚀刻工艺十分繁复，其采用大量的胶水、冷却剂等。当通过磁头分割工艺生产出单一磁头后，胶水、冷却剂和磨剂的残余物会残余在磁头的ABS上。因此，在磁头分割后的清洗工艺必不可少。传统地，通过将磁头浸渍在清洗液中通过超声波振动进行清洗。通常，在磁头清洗后会在磁头的各表面上残留清洗液。为防止清洗液对磁头造成危害，紧接着清洗工艺的步骤是将磁头进行干燥处理。 

一般地，现有的干燥处理方法有以下几种。其一，自然挥发晾干。然而，此种方法所需的挥发时间较长，效率低，而且清洗液在挥发后会在磁头的表面上形成印迹，对产品造成不利影响。其二，加热烘干。通常采用电热丝对容置磁头的容器进行加热，从而使磁头上的清洗液挥发。然而此种方法的温度往往难以控制。其三，利用气枪吹干。具体地，如图1所示，磁头101在清洗后，气枪对装在清洗盒102中的批量磁头101进行吹气处理，从而使磁头表面的清洗液快速挥发。此种方法较前两种方法佳，但是仍然不够理想。由于气枪所吹出的空气直接处理的面积有限，因此，磁头101的各表面无法被均匀地吹干， 而且并不能使每个磁头101都能够均匀地吹干，因此，未被均匀吹干的部分磁头101的表面上仍然有清洗液蒸发后的印迹。 

因此，亟待一种改进的干燥方法以克服上述缺陷。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空干燥方法，其干燥效果良好、干燥环境安全性高、干燥效率高，从而提高生产率。 

为实现上述目的，本发明提供了一种真空干燥方法，其包括以下步骤：(1)将待干燥物放置于一容置槽之中；(2)向所述容置槽加热，以将所述容置槽内的温度升高至预定温度；(3)抽取所述容置槽中的部分或全部空气，以使所述待干燥物上的溶剂挥发。 

作为一个优选实施例，所述步骤(2)包括通过设置于所述容置槽之中或外围的加热管向所述容置槽加热，所述加热管与一热水泵相连。 

较佳地，所述加热管设有进水口和出水口，以实现循环。 

作为另一个优选实施例，通过所述步骤(3)使得所述容置槽内的压强范围为0～25KPa。 

较佳地，所述待干燥物上的溶剂包括去离子水，和/或H₂SO₄，和/或H₂O₂，和/或酒精，和/或异丙醇。 

较佳地，所述待干燥物包括半导体晶片、芯片、磁头或玻璃面。 

较佳地，所述容置槽为密封槽。 

与现有技术相比，本发明的真空干燥方法一方面对容置槽中待干燥物(如磁头)进行适当的加热；另一方面同时从容置槽中抽出部分或全部空气，使其内达到局部真空或全真空状态，进而使得磁头各表面上的清洗液沸腾，从而快速挥发，蒸汽随抽气装置排出容置槽之外，从达到瞬间干燥的目的。利用本发明真空干燥方法处理的磁头的表面保持清洁，不会留下清洗液的印迹，从而提高生产率。 

通过以下的描述并结合附图，本发明将变得更加清晰，这些附图用于解释本发明的实施例。 

附图说明

图1展示了一种磁头的传统的干燥方法。 

图2为本发明的真空干燥方法的一个实施例的流程图。 

图3为本发明的真空干燥装置的一个实施例的局部立体图。 

图4为本发明的真空干燥装置的剖视图。 

具体实施方式

下面将参考附图阐述本发明几个不同的最佳实施例，其中不同图中相同的标号代表相同的部件。如上所述，本发明的实质在于一种真空干燥方法，其干燥效果良好、干燥环境安全性高、干燥效率高，从而提高生产率。 

请参考图2，本发明的真空干燥方法的一个实施例包括以下步骤： 

步骤(301)，将待干燥物放置于一容置槽之中； 

步骤(302)，向容置槽加热，以将容置槽内的温度升高至预定温度； 

步骤(303，)抽取容置槽中的部分或全部空气，以使待干燥物上的溶剂挥发。