[发明专利]真空干燥方法在审
| 申请号： | 201210072091.0 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103307857A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李宁 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | F26B7/00 | 分类号： | F26B7/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 干燥 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种真空干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将待干燥物放置于一容置槽之中；
(2)向所述容置槽加热，以将所述容置槽内的温度升高至预定温度；
(3)抽取所述容置槽中的部分或全部空气，以使所述待干燥物上的溶剂挥发。
2.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：所述步骤(2)包括通过设置于所述容置槽之中或外围的加热管向所述容置槽加热，所述加热管与一热水泵相连。
3.如权利要求2所述的真空干燥方法，其特征在于：所述加热管设有进水口和出水口，以实现循环。
4.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述预定温度的范围为30℃～80℃。
5.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：通过所述步骤(3)使得所述容置槽内的压强范围为0～25KPa。
6.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：所述待干燥物上的溶剂包括去离子水，和/或H2SO4，和/或H2O2，和/或酒精，和/或异丙醇。
7.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：所述待干燥物包括半导体晶片、芯片、磁头或玻璃面。
8.如权利要求1所述的真空干燥方法，其特征在于：所述容置槽为密封槽。
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