[发明专利]一种H全桥转换式微逆变器并网装置

权利要求书

1.一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：包括：

两个控制器，分别为：用于处理采集信号及计算的控制器(1)和用于输出脉冲信号的控制器(2)；

MOSFET H全桥电路(3):用于将光伏板输出的直流电信号逆变为高频交流电信号；

高频变压器(4):用于将MOSFET H全桥电路(3)逆变出的交流电信号升压至满足并网幅值的电压；

半桥整流电路(5):用于将高频变压器(4)的输出信号转换为馒头波信号；

SCR H全桥电路(6):用于将半桥整流电路(5)输出的馒头波信号转化为符合电网要求的正弦波信号；

滤波电路（7）：用于滤除SCR H全桥电路（6）输出的正弦波中的谐波，将输出正弦波转化为符合电网要求的正弦波。

2.根据权利要求1所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的MOSFET H全桥电路(3)包括：MOSFET管H全桥电路及保护电路，第一MOSFET管(Q1)和第三MOSFET管(Q3)的漏极连接光伏板的高压侧，第二MOSFET管(Q2)和第四MOSFET管(Q4)的漏极连接光伏板的低压侧；第一MOSFET管(Q1)的源极连接第二MOSFET管(Q2)的漏极，第三MOSFET管(Q3)的源极连接第四MOSFET管(Q4)的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的MOSFET管H全桥电路的四个MOSFET管分别配有四个结构相同的保护电路，所述的保护电路由电阻、电容和二极管组成，电阻和电容串联，其连接点与所述二极管阴极连接，该电容的另一端连接MOSFET管的漏极，该电阻的另一端连接MOSFET管的源极和该二极管的阳极。

4.根据权利要求1所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的高频变压器(4)，高频变压器(4)的原级线圈的一端连接由第一MOSFET管(Q1)和第三MOSFET管(Q3)组成的桥臂的中间，高频变压器(4)的原级线圈的另一端连接由第二MOSFET管(Q2)和第四MOSFET管(Q4)组成的桥臂的中间，高频变压器(4)的副边线圈的两端分别连接半桥整流电路(5)，高频变压器(4)的副边线圈的中心抽头端连接SCR全桥电路(6)。

5.根据权利要求1或4所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的半桥整流电路(5)包括二极管和滤波电容，高频变压器(4)副边线圈的一端连接第一二极管(D1)的阳极，高频变压器(4)副边线圈的另一端连接第二二极管(D2)的阳极，第一二极管(D1)的阴极连接第一滤波电容(C21)的一端，第一滤波电容(C21)的另一端连接高频变压器(4)副边线圈的中心抽头端，第二二极管(D2)的阴极连接第二滤波电容(C22)的一端，第二滤波电容(C22)的另一端连接高频变压器(4)副边线圈的中心抽头端。

6.根据权利要求1或4所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的SCR H全桥电路(6)包括SCR转换桥电路，SCR转化桥电路由晶闸管组成，第一晶闸管(D3)的阳极和第三晶闸管(D5)的阳极同时连接半桥整流电路(5)中的第一二极管(D1)的阴极和第二二极管(D2)的阴极，第一晶闸管(D3)的阴极连接第二晶闸管(D4)的阳极，第三晶闸管(D5)的阴极连接第四晶闸管(D6)的阳极，第三晶闸管(D5)的阴极和第四晶闸管(D6)的阴极连接到高频变压器(4)的副边线圈的中心抽头端。

7.根据权利要求6所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：对所述晶闸管还配置有保护电路，且保护电路的结构相同，都由电阻和电容构成，第一电阻的一端与第一电容的一端同时连接晶闸管的阳极，第一电容的另一端连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端与第二电容的一端同时连接晶闸管的阴极，第二电容的另一端连接晶闸管的门极，第一电阻的另一端与晶闸管的门极作为电压驱动信号的输入端。

8.根据权利要求1所述的一种H全桥转换式微逆变器并网装置，其特征在于：所述的滤波电路(7)由电阻、电容和电感组成，第一晶闸管(D3)和第二晶闸管(D4)的连接点与电感(L2)的一端相连，电感(L2)的另一端连接第一电容(C19)的一端及第二电容(C20)的一端，并接电网，第二电容(C20)的另一端连接电阻(R13)的一端，电阻(R13)的另一端连接第一电容(C19)的另一端，并接电网。