[发明专利]电容结构有效
| 申请号: | 201210069410.2 | 申请日: | 2012-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN102593128A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 陈建盛 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容 结构 | ||
1.一种电容结构,包括:
介电材料层;以及
至少两层金属层,间隔设置于该介电材料层中,且各该金属层包括:
绕行状电极,形成多个第一凹部以及多个第二凹部,该些第一凹部位于该绕行状电极的一侧,该些第二凹部位于该绕行状电极的另一侧;
第一指状电极,包括多个第一延伸部,该些第一延伸部分别设置于该些第一凹部中;以及
第二指状电极,包括多个第二延伸部,该些第二延伸部分别设置于该些第二凹部中;
其中,各该金属层中的该绕行状电极电连接相邻金属层中的该第一指状电极及该第二指状电极。
2.如权利要求1所述的电容结构,其中各该金属层的上视图案在旋转一角度后与相邻金属层的上视图案实质上重合。
3.如权利要求2所述的电容结构,其中该角度为90°。
4.如权利要求1所述的电容结构,还包括多个介层窗,用以将各该金属层的该绕行状电极电连接至相邻金属层中的该第一指状电极及该第二指状电极。
5.如权利要求4所述的电容结构,其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该些第一延伸部中的至少一个及该第二指状电极的该些第二延伸部中的至少一个。
6.如权利要求4所述的电容结构,其中该第一指状电极还包括第一基部,该些第一延伸部连接至该第一基部,该第二指状电极还包括第二基部,该些第二延伸部连接至该第二基部。
7.如权利要求6所述的电容结构,其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该第一基部及该第二指状电极的该第二基部。
8.如权利要求6所述的电容结构,其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该些第一延伸部中的至少一个及该第二指状电极的该第二基部,及/或连接至相邻金属层中该第一指状电极的该第一基部及该第二指状电极的该些第二延伸部中的至少一个。
9.如权利要求1所述的电容结构,其中在各该金属层中,该第一指状电极与该绕行状电极间具有一第一间距,该第二指状电极与该绕行状电极间具有一第二间距。
10.如权利要求9所述的电容结构,其中该第一间距与该第二间距实质上相同。
11.如权利要求9所述的电容结构,其中该第一间距与该第二间距分别介于0.14微米与0.21微米之间。
12.如权利要求9所述的电容结构,其中在各该金属层中,该绕行状电极的线宽、该第一指状电极的线宽以及该第二指状电极的线宽分别小于或等于该第一间距以及该第二间距。
13.如权利要求1所述的电容结构,其中各该金属层中的该绕行状电极的线宽、该第一指状电极的线宽以及该第二指状电极的线宽分别介于0.14微米与0.20微米之间。
14.一种电容结构,包括:
介电材料层;
第一金属层,设置于该介电材料层中,该第一金属层包括:
第一绕行状电极,形成多个第一凹部以及多个第二凹部,该些第一凹部位于该第一绕行状电极的一侧,该些第二凹部位于该第一绕行状电极的另一侧;
第一指状电极,包括多个第一延伸部,该些第一延伸部分别设置于该些第一凹部中;以及
第二指状电极,包括多个第二延伸部,该些第二延伸部分别设置于该些第二凹部中;以及
第二金属层,与该第一金属层间隔设置于该介电材料层中,该第二金属层包括:
第二绕行状电极,形成多个第三凹部以及多个第四凹部,该些第三凹部位于该第二绕行状电极的一侧,该些第四凹部位于该第二绕行状电极的另一侧;
第三指状电极,包括多个第三延伸部,该些第三延伸部分别设置于该些第三凹部;以及
第四指状电极,包括多个第四延伸部,该些第四延伸部分别设置于该些第四凹部中;
其中,该第一绕行状电极电连接该第三指状电极及该第四指状电极,且该第二绕行状电极电连接该第一指状电极及该第二指状电极。
15.如权利要求14所述的电容结构,其中该第一金属层的上视图案在旋转一角度后与该第二金属层的上视图案实质上重合。
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