[发明专利]一种硫化镉梳状半导体微纳材料的光致变色方法无效

专利信息
申请号: 201210067435.9 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102618253A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 刘瑞斌;邹炳锁 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C09K9/00 分类号: C09K9/00;D21H21/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 硫化 镉梳状 半导体 材料 变色 方法
【权利要求书】:

1.一种硫化镉梳状半导体微纳材料的光致变色方法,其特征在于步骤为:

1)单个纳米梳的分离:室温下,在显微镜下,将掺杂有锡的硫化镉纳米梳团簇放到载玻片上,利用探针台的钨探针将掺杂有锡的硫化镉纳米梳团簇进行分离,把单个纳米梳从团簇上分离下来,并将其他部分移走;

2)将步骤1)分离好的单个纳米梳在显微镜的视场中,利用连续的氮化镓半导体紫外激光器,激光器的发射波长为405nm,采取斜照射方式,照射到单个纳米梳上,激光器的功率从2mW逐渐增加到40mW,从显微镜的上方放置的彩色CCD相机观察并拍摄纳米梳,并用共聚焦的光路和光谱仪获取纳米梳的发光光谱;当激光器的功率从2mW逐渐增加到40mW,用彩色CCD相机观察纳米梳,单个纳米梳颜色从红色逐渐过渡到绿色;从得到的光谱图得知单个纳米梳发光从红色的缺陷态发光过渡到绿色光为主的带边发光;缺陷态发光波长以650nm为中心、从600-750nm,绿色光为主的带边发光波长以515nm为中心、从495~540nm。

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