[发明专利]一种硅片金相试样的制备方法无效
| 申请号： | 201210064168.X | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102607916A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王风振;宫龙飞 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/36 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 金相 试样 制备 方法 | ||
1.一种硅片金相试样的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)将亚克力树脂粉和液态固化剂按使用说明配比混匀，添加两者总重量的5～25％有机溶剂，混匀，制成冷镶剂；
(2)将硅片放置在硅胶冷镶模具底部，其上浇铸步骤(1)制得的冷镶剂，固化；
(3)对固化后的金相试样进行抛光、腐蚀处理；
其中，所述的有机溶剂为乙醇、乙二醇或异丙醇。
2.根据权利要求1所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，所述的硅片厚度为250μm以下。
3.根据权利要求1所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，固化温度为20～30℃，固化时间为0.5～2h。
4.根据权利要求1所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的抛光、腐蚀处理为二次抛光和二次腐蚀处理。
5.根据权利要求4所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，对固化后的金相试样进行抛光、腐蚀处理具体步骤如下：
(3a)在抛光机上对固化后的金相试样进行初步抛光，抛光液依次为粒径9μm、3μm的金刚石悬浮液，然后用粒径0.05～0.1μm的SiO2悬浮液进行抛光；
(3b)用纯水将步骤(3a)抛光后的试样清洗干净并吹干；
(3c)使用酸腐蚀液或碱腐蚀液对步骤(3b)处理后的试样表面进行浅腐蚀，时间为2～5min；
(3d)对步骤(3c)处理后的试样进行二次抛光，抛光布选用柔软短绒布，抛光液选择粒径为0.05～0.1μm的SiO2悬浮液，时间为1～2min；
(3e)用纯水对步骤(3d)处理后的试样表面清洗干净；
(3f)用择优腐蚀液对步骤(3e)处理后的试样进行择优腐蚀，时间为3～15min；
(3g)使用纯净水将步骤(3f)处理后的试样清洗干净并吹干。
6.根据权利要求5所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，步骤(3b)中使用的酸腐蚀液为68％mol/L的硝酸、40％mol/L的氢氟酸和H2O按体积比3∶1∶5～3∶1∶20的混合物；所述的碱腐蚀液为NaOH和H2O按重量比1∶5～1∶20的混合物。
7.根据权利要求5所述的硅片金相试样的制备方法，其特征在于，步骤(3f)中使用的择优腐蚀液为49％mol/L的氢氟酸和0.15M K2Cr2O7水溶液按体积比2∶1的混合物。
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