[发明专利]制造引线框架的方法和发光器件封装件

说明书

本申请要求分别于2011年3月10日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0021429号和第10-2011-0021430号韩国专利申请的权益，上述申请的公开通过引用完全包含于此。

技术领域

本发明涉及一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法以及一种发光器件封装件。

背景技术

发光器件封装件包括具有点光源的形状的发光器件和支撑发光器件并提供电通路的引线框架，其中，所述发光器件诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等。

随着引线框架的反射率(以GAM为单位)和预成型结构的反射率的增大，作为发光器件封装件的重要特性的亮度增大。预成型结构的形状(例如，壁角、高度等)及调整光的角度的发光器件的透镜的性能和形状影响发光器件封装件的视角。

已经改善了引线框架的镀覆性能，以通过提高引线框架的反射率来提高发光器件封装件的性能。引线框架的表面层最终形成在非常平滑的镜面的反射面上。

发明内容

本发明提供了一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法和一种发光器件封装件，从而执行表面处理以具有宽视角和宽辐射宽度。

根据本发明的一方面，提供了一种制造用于发光器件封装件的引线框架的方法，所述方法包括：准备用于引线框架的基体基底；在基体基底上形成漫射粗糙度；在漫射粗糙化的基体基底上形成反射镀层。

形成漫射粗糙度的步骤可包括将蚀刻工艺和氧化工艺中的一个化学工艺应用于基体基底。

蚀刻工艺可包括将退镀剂、过氧化氢-硫酸基软蚀刻溶液、氧化剂或它们的组合涂覆到基体基底上。

形成漫射粗糙度的步骤可包括将机械冲压和表面抛光工艺中的一个物理工艺应用于基体基底。

表面抛光工艺可包括喷砂。

形成漫射粗糙度的步骤可包括将表面粗糙度镀覆工艺应用于基体基底。

在表面粗糙度镀覆工艺中，可通过使用镍(Ni)和铜(Cu)中的一种金属作为镀覆材料，并涂覆具有足以形成非均匀镀覆表面的低浓度的镀覆材料来执行镀覆工艺。

在表面粗糙度镀覆工艺中，可通过利用Ni和Cu中的一种金属作为镀覆材料并施加足以形成球形结构的镀覆形态的低镀覆电流来执行镀覆工艺。

在表面粗糙度镀覆工艺中，可通过施加对镀覆表面足够的高镀覆电流来形成银(Ag)打底层以具有漫射粗糙度。

形成反射镀层的步骤可包括：在漫射粗糙化的基体基底上形成非光亮镀层；在非光亮镀层上形成高光亮镀层。

形成非光亮镀层的步骤可包括形成非光亮Ag镀层。

形成高光亮镀层的步骤可包括通过应用光亮剂形成光亮Ag镀层。

形成反射镀层的步骤可包括在漫射粗糙化的基体基底上形成具有球形形态的反射镀层。

形成反射镀层的步骤可包括通过应用足以形成球形结构的镀覆形态的低镀覆电流密度来执行镀覆工艺。

形成反射镀层的步骤可包括以0.3至2.0ASD(A/dm²)的低电流密度来执行镀覆。

形成反射镀层的步骤可包括通过应用光亮剂来形成Ag镀层。

所述方法还可包括在形成反射镀层之前形成包括金属种子层和下层中的至少一个的金属涂层。

根据本发明的另一方面，提供了一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：发光器件；引线框架，发光器件安装在引线框架上，其中，引线框架包括形成引线框架的最外侧层的高光亮镀层和形成高光亮镀层的下层的非光亮镀层。

高光亮镀层可具有相对精细的晶粒尺寸，非光亮镀层可具有相对粗的晶粒尺寸。

根据本发明的另一方面，提供了一种发光器件封装件，所述发光器件封装件包括：发光器件；引线框架，发光器件安装在引线框架上，其中，引线框架包括反射镀层，反射镀层形成引线框架的最外侧层并具有球形结构的镀覆形态。

反射镀层可包括含有光亮剂成分的Ag镀层。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将变得更加清楚，在附图中：

图1是根据本发明实施例的发光器件封装件的结构的剖视图；

图2是图1中的部分II的放大图；

图3A和图3B示出了形成在平滑的镜面反射面上的反射的形状；

图4A至图4C示出了镜面反射面上的发光状态；

图5A和图5B示出了根据本发明实施例的形成在具有表面粗糙度的反射面上的反射的形状；