[发明专利]制造引线框架的方法和发光器件封装件有效
申请号: | 201210063806.6 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102683564A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 李镇宇;张宰熏;李东勋;金在河 | 申请(专利权)人: | 三星泰科威株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛义丹 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 引线 框架 方法 发光 器件 封装 | ||
1.一种制造发光器件封装件的引线框架的方法,所述方法包括以下步骤:
准备用于引线框架的基体基底;
在基体基底上形成漫射粗糙度;
在漫射粗糙化的基体基底上形成反射镀层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成漫射粗糙度的步骤包括将蚀刻工艺和氧化工艺中的一个化学工艺应用于基体基底。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,蚀刻工艺包括将退镀剂、过氧化氢-硫酸基软蚀刻溶液、氧化剂或它们的组合涂覆到基体基底上。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,形成漫射粗糙度的步骤包括将机械冲压和表面抛光工艺中的一个物理工艺应用于基体基底。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,表面抛光工艺包括喷砂。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,形成漫射粗糙度的步骤包括将表面粗糙度镀覆工艺应用于基体基底。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在表面粗糙度镀覆工艺中,通过使用Ni和Cu中的一种金属作为镀覆材料,并涂覆具有足以形成非均匀镀覆表面的低浓度的镀覆材料来执行镀覆工艺。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,在表面粗糙度镀覆工艺中,通过利用Ni和Cu中的一种金属作为镀覆材料并施加足以形成球形结构的镀覆形态的低镀覆电流来执行镀覆工艺。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,在表面粗糙度镀覆工艺中,通过施加对镀覆表面足够的高镀覆电流来形成Ag打底层以具有漫射粗糙度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,形成反射镀层的步骤包括:
在漫射粗糙化的基体基底上形成非光亮镀层;
在非光亮镀层上形成高光亮镀层。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,形成非光亮镀层的步骤包括形成非光亮Ag镀层。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,形成高光亮镀层的步骤包括通过应用光亮剂形成光亮Ag镀层。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,形成反射镀层的步骤包括在漫射粗糙化的基体基底上形成具有球形形态的反射镀层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成反射镀层的步骤包括通过施加足以形成球形结构的镀覆形态的低镀覆电流密度来执行镀覆工艺。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,形成反射镀层的步骤包括以0.3至2.0A/dm2的低电流密度来执行镀覆。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,形成反射镀层的步骤包括通过应用光亮剂来形成Ag镀层。
17.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括在形成反射镀层之前形成包括金属种子层和下层中的至少一个的金属涂层。
18.一种发光器件封装件,所述发光器件封装件包括:
发光器件;
引线框架,发光器件安装在引线框架上,
其中,引线框架包括:
高光亮镀层,形成引线框架的最外侧层;
非光亮镀层,形成高光亮镀层的下层。
19.根据权利要求18所述的发光器件封装件,其中,高光亮镀层具有相对精细的晶粒尺寸,非光亮镀层具有相对粗的晶粒尺寸。
20.一种发光器件封装件,所述发光器件封装件包括:
发光器件;
引线框架,发光器件安装在引线框架上,
其中,引线框架包括反射镀层,反射镀层形成引线框架的最外侧层并具有球形结构的镀覆形态。
21.根据权利要求20所述的发光器件封装件,其中,反射镀层包括含有光亮剂成分的Ag镀层。
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