[发明专利]通孔形成方法

权利要求书

1.一种通孔形成方法，其特征在于，包括：

在一衬底上形成膜层结构；

对所述膜层结构进行光刻、刻蚀工艺，以形成具有通孔的图形化结构；

其中，在所述刻蚀工艺过程中动态调整刻蚀设备的上和/或下电极温度。

2.如权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述动态调整中，使刻蚀设备的下电极温度上升，上电极温度保持不变或下降。

3.如权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述动态调整中，使刻蚀设备的下电极温度保持不变，上电极温度下降。

4.如权利要求1至3中任一项所述的通孔形成方法，其特征在于，所述动态调整中，所述上和/或下电极温度随时间变化的曲线为非线性或线性。

5.如权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述膜层结构由下至上依次为刻蚀停止层、层间介质层、抗反射介质层，所述通孔底部暴露部分所述刻蚀停止层。

6.如权利要求5所述的通孔形成方法，其特征在于，所述层间介质层为TEOS和/或FSG。

7.如权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，对所述膜层结构进行的刻蚀分为主刻蚀和过刻蚀两步。

8.如权利要求7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述下电极温度在主刻蚀步骤中保持较低温度不变，在过刻蚀步骤中保持在较高温度不变，所述较低温度为15～25℃，所述较高温度为35～50℃。

9.如权利要求7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述上电极温度在主刻蚀步骤中保持较高温度不变，在过刻蚀步骤中保持在较低温度不变，所述较低温度为35～50℃，所述较高温度为65～75℃。

10.如权利要求4或7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述下电极温度在对所述膜层结构的刻蚀过程中非线性或线性上升，起始温度为15～25℃，终止温度为35～50℃。

11.如权利要求4或7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述上电极温度在对所述膜层结构的刻蚀过程中非线性或线性下降，起始温度为65～75℃，终止温度为35～50℃。