[发明专利]微机电系统及其制造方法有效
申请号: | 201210061957.8 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102674235A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 斋藤友博 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种微机电系统,其特征在于,包括:
设置在基板上的第1电极;
第1辅助构造体,与上述第1电极相邻地设置在上述基板上,处于电浮置状态;和
第2电极,设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方,被向上述第1电极的方向驱动。
2.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1辅助构造体被配置在上述第1电极与上述第2电极重合的区域的附近。
3.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,还包括:
以与上述第1电极之间夹着上述第1辅助构造体的方式设在上述基板上的第3电极。
4.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,还包括:
以与上述第1辅助构造体之间夹着上述第1电极的方式设在上述基板上的第2辅助构造体。
5.根据权利要求3所述的微机电系统,其特征在于,
位于上述第1电极与上述第3电极之间的第2电极向与上述第1、第3电极相反一侧鼓出。
6.根据权利要求3所述的微机电系统,其特征在于,还包括:
以与上述第1辅助构造体之间夹着上述第3电极的方式设在上述基板上的第3辅助构造体。
7.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1辅助构造体被配置成包围上述第1电极。
8.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1辅助构造体包括多个岛状图案。
9.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第2电极隔着空洞配置在上述第1电极及上述第1辅助构造体的上方。
10.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,还包括:
设置在上述第1电极及上述第1辅助构造体、与上述第2电极之间的绝缘膜。
11.根据权利要求10所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1电极、上述第2电极以及上述绝缘膜形成了可变电容元件。
12.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,还包括:
设置在上述第1电极以及上述第1辅助构造体的上方且对上述第2电极进行保持的支承梁。
13.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1辅助构造体由与上述第1电极相同的材料形成。
14.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1辅助构造体由与上述第1电极不同的材料形成。
15.根据权利要求1所述的微机电系统,其特征在于,
上述第1电极、上述第2电极以及上述第1辅助构造体由铝或者钨形成。
16.一种微机电系统的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成第1电极的步骤;
按照与上述第1电极相邻的方式在上述基板上形成第1辅助构造体的步骤;
在上述第1电极上、上述第1辅助构造体上以及上述基板上形成牺牲膜的步骤;
在上述牺牲膜上形成第2电极的步骤;和
将上述牺牲膜去除,隔着空洞在上述第1电极的上方配置上述第2电极的步骤。
17.根据权利要求16所述的微机电系统的制造方法,其特征在于,
上述第1电极上以及上述第1辅助构造体上的上述牺牲膜的上表面平坦,上述牺牲膜上的上述第2电极的下表面平坦。
18.根据权利要求16所述的微机电系统的制造方法,其特征在于,
包括在去除上述牺牲膜时,与上述牺牲膜一同去除上述第1辅助构造体的步骤。
19.根据权利要求16所述的微机电系统的制造方法,其特征在于,
上述第1辅助构造体的上表面的高度比上述第1电极的上表面的高度高。
20.根据权利要求19所述的微机电系统的制造方法,其特征在于,
上述第1辅助构造体的上述上表面上的上述第2电极向与上述第1电极相反一侧鼓出。
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