[发明专利]阻变存储装置、布局结构及其感测电路

权利要求书

1.一种阻变存储装置，包括：

第一存储区，所述第一存储区包括耦接在多个第一源极线和位线与多个第一字线之间的第一主存储器单元阵列、以及耦接在所述多个第一源极线和位线与多个第一参考字线之间的第一参考存储器单元阵列；

第二存储区，所述第二存储区包括耦接在多个第二源极线和位线与多个第二字线之间的第二主存储器单元阵列、以及耦接在所述多个第二源极线和位线与多个第二参考字线之间的第二参考存储器单元阵列；

行地址译码器，所述行地址译码器被配置为响应于外部地址来驱动字线或参考字线；

列地址译码器，所述列地址译码器被配置为响应于外部地址来驱动位线和源极线；以及

位线驱动器/吸收器，所述位线驱动器/吸收器共同地耦接至所述第一存储区和所述第二存储区，且被配置为将预定电压施加至由所述列地址译码器驱动的位线，

其中，所述第一存储区包括：

第一列选择器，所述第一列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第一位线；

第二列选择器，所述第二列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第一源极线；以及

源极线驱动器/吸收器，所述源极线驱动器/吸收器被配置为将预定电压施加至由所述第二列选择器驱动的源极线。

2.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述第二存储区包括：

第三列选择器，所述第三列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第二位线；

第四列选择器，所述第四列选择器被配置为响应于所述列地址译码器的输出信号来驱动第二源极线；以及

第二源极线驱动器/吸收器，所述第二源极线驱动器/吸收器被配置为将预定电压施加至由所述第四列选择器驱动的源极线。

3.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述多个第一参考字线和所述多个第二参考字线分别包括一对参考字线。

4.如权利要求3所述的阻变存储装置，其中，高电平数据储存在与所述参考字线中的任一个参考字线相耦接的参考存储器单元中，而逻辑低电平数据储存在与所述参考字线中的另一个参考字线相耦接的参考存储器单元中。

5.一种阻变存储装置的感测电路，所述阻变存储装置包括多个存储区以及由相邻的存储区共享的位线驱动器/吸收器，每个存储区包括主存储器单元阵列和耦接至多个参考字线的参考存储器单元阵列，所述感测电路包括：

第一吸收单元，所述第一吸收单元被配置为响应于读取使能信号而将与和选中的存储区共享所述位线驱动器/吸收器的相邻存储区的参考存储器单元相耦接的源极线耦接至接地端子；

第二吸收单元，所述第二吸收单元被配置为响应于所述读取使能信号而将与所述选中的存储区的主存储器单元相耦接的源极线耦接至接地端子；

感测单元，所述感测单元耦接至与所述相邻存储区的参考存储器单元相耦接的位线、以及与所述选中的存储区的主存储器单元相耦接的位线，且被配置为感测所述选中的存储区的主存储器单元的数据并将感测到的所述数据输出至预输出端子；以及

比较单元，所述比较单元被配置为将参考电压与所述预输出端子的电压进行比较，并输出读取数据。

6.如权利要求5所述的感测电路，其中，所述感测单元包括：

加载部，所述加载部被配置为将电流提供给与所述相邻存储区的参考存储器单元相耦接的位线、以及与所述选中的存储区的主存储器单元相耦接的位线；以及

开关部，所述开关部被配置为响应于所述读取使能信号而将所述加载部的输出电流提供至所述选中的存储区的位线和所述相邻存储区的位线。

7.如权利要求6所述的感测电路，其中，所述加载部包括：

第一电流发生器，所述第一电流发生器耦接在电源电压端子与所述相邻存储区的位线之间，且被配置为根据第二选择信号而被驱动并输出电流以流入所述相邻存储区的位线；

第二电流发生器，所述第二电流发生器耦接在电源电压端子与所述选中的存储区的位线之间，且被配置为根据第一选择信号而被驱动并输出电流以流入所述选中的存储区的位线；

开关，所述开关被配置为根据所述读取使能信号而被驱动，且耦接在所述第一电流发生器与所述第二电流发生器之间；以及

输出部，所述输出部被配置为将所述第一电流发生器的输出电压或所述第二电流发生器的输出电压提供至所述预输出端子。