[发明专利]固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法以及电子设备无效
申请号: | 201210058169.3 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN102683365A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
相关申请的交叉引用
本发明包含与2011年3月14日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2011-055630所公开的内容相关的主题,因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法以及电子设备。
背景技术
作为用于数码摄像机或数码照相机的固态摄像装置,相关技术中揭露了电荷耦合器件(CCD)型固态摄像装置或互补金属氧化物半导体(CMOS)型固态摄像装置。根据光入射至感光部的方向,这种固态摄像装置大多分为两类。
一类固态摄像装置是感应从半导体基板的形成有布线层的前表面侧入射的光的固态摄像装置(例如,参考日本未审查的专利申请公开公报第2002-314058号)。另一类固态摄像装置是感应从半导体基板的未形成有布线层的后表面侧入射的光的所谓后表面照射型固态摄像装置(例如,参考日本未审查的专利申请公开公报第2009-176949和2006-019653号以及日本专利第3050583号)。
在这种固态摄像装置中,设置遮光膜以在像素之间进行遮蔽。例如,在日本未审查的专利申请公开公报第2009-176949揭露的固态摄像装置中,遮光膜设置在与滤色器相同的平面上以减少相邻像素的混色。
当遮光膜设置于固态摄像装置时,可减少相邻像素的混色,但是存在的问题是一部分斜射光被遮光膜中断,从而使对斜射光的感光度降低。
日本未审查的专利申请公开公报第2002-314058号揭露了一种通过以多层方式设置的微透镜来聚光斜射光的方法,以便可靠地将光聚光到感光部。
然而,在日本未审查的专利申请公开公报第2002-314058号揭露的方法中,不仅需要设置微透镜,还必须设置层内微凹透镜,因而存在的问题是很难使从微透镜到感光部的厚度变小。
发明内容
本发明期望提供一种能够抑制感光度降低的固态摄像装置及其制造方法。
此外,本发明期望提供一种具有该固态摄像装置的电子设备。
根据本发明的实施例,揭露了一种固态摄像装置,其包括:多个像素区域,各个像素区域包括具有将入射光转换为电信号的光电转换单元的像素、与所述像素对应形成的滤色器、以及将入射光经由所述滤色器聚光至所述光电转换单元的微透镜;第一遮光部,其具有位于所述微透镜侧的第一端面和与所述第一端面相反的第二端面,且其形成于所述多个像素区域中的各个像素区域的各个侧边部;以及第二遮光部,其具有位于所述微透镜侧的第一端面和与所述第一端面相反的第二端面,且其形成于像素区域的各个角部,从所述像素的表面到所述第二遮光部的第一端面的距离比到所述第一遮光部的第一端面的距离短。
根据本发明该实施例的固态摄像装置,从所述像素的表面到形成于所述像素区域的各个角部的所述第二遮光部的微透镜侧端面的距离比到所述第一遮光部的微透镜侧端面的距离短。因此,来自所述微透镜的角部的入射光入射至所述光电转换单元而不被所述第二遮光部中断。其结果是,入射至所述光电转换单元的光增加了。
此外,根据本发明的另一实施例,提供了一种制造固态摄像装置的方法。该方法包括:形成像素,其具有将入射光转换为电信号的光电转换单元;形成滤色器,其与各个所述像素对应形成;形成微透镜,其将入射光经由所述滤色器聚光至所述光电转换单元;以及形成第一遮光部和第二遮光部,第一遮光部形成于包括所述像素、所述滤色器以及所述微透镜的像素区域的各个侧边部并且具有位于所述微透镜侧的第一端面和与所述第一端面相反的第二端面,第二遮光部具有位于所述微透镜侧的第一端面和与所述第一端面相反的第二端面并且形成于像素区域的各个角部,从所述像素的表面到所述第二遮光部的第一端面的距离比到所述第一遮光部的第一端面的距离短。
根据本发明的又一实施例,提供了一种包括上述固态摄像装置、光学透镜以及信号处理电路的电子设备。
根据本发明的实施例可以抑制感光度的降低。
附图说明
图1是说明根据本发明第一实施例的固态摄像装置的示意图;
图2A和图2B是根据本发明第一实施例的固态摄像装置的横截面图;
图3A至图3D是说明根据本发明第一实施例的微透镜的示意图;
图4A至图4C是说明根据本发明第一实施例的遮光膜的示意图;
图5A至图5D是根据本发明第一实施例的固态摄像装置的横截面图;
图6是根据本发明第一实施例的固态摄像装置的横截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的