[发明专利]电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210056936.7 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311444A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电致发光器件,尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,一般是制备一层电子传输层来提高电子的传输速率,再制备一层电子注入层来提高电子的注入效率,而电子的传输速率通常比空穴的传输速率要低两三个数量级,因此,通常都是将电子传输层进行n掺杂,也即是将电子传输层进行金属掺杂,如Cs盐掺杂到Bphen中,Li盐掺杂到TPBi中,来提高电子传输速率,这种方法采用较多,且可有效提高电子传输速率,但是,由于是掺杂,工艺上较难控制,由于金属的蒸发温度与有机物的蒸发温度相差较大,如Li盐蒸发温度一般为800℃,而有机物,如Bphen、TPBi蒸发温度为200-300左右℃,蒸发温度的差异使得两者共蒸的速率不一样,这就使得共蒸物的比例难以控制,最终难以精确达到目标比例,结果的重现性较差,使器件的发光效率得不到提高。
发明内容
本发明所要解决的问题之一在于提供一种发光率较高的电致发光器件。
一种电致发光器件,包括依次层叠的阳极导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层。
所述电致发光器件中,各功能层的材质如下:
所述阳极导电玻璃基底选自铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃;
所述空穴注入层的材质选自三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;
所述空穴传输层的材质选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;
所述发光层的材质为掺杂材料按照质量百分比1~20%的比例掺杂到主体材料中组成的混合材料;其中,掺杂材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱);主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;
所述第一电子传输层的材质选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述第二电子传输层的材质选自C60或C70的富勒烯、或者富勒烯的丁酸甲酯衍生物;
所述电子注入层的材质选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;
所述阴极层的材质选自银、铝、铂或金。
本发明所要解决的问题之二在于提供上述电致发光器件的制备方法,包括如下步骤;
S1、将阳极导电玻璃基底进行光刻处理,随后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min,去除有机污染物;
S2、将清洗干净后对阳极导电玻璃基底上的阳极层进行氧等离子处理,处理时间为5-15min,功率为10-50W;
S3、采用蒸镀工艺,在阳极导电玻璃基底的阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层和阴极层;
上述工艺步骤完成后,制得电致发光器件。
本发明提供的电致发光器件,通过加入第二电子传输层,增强电子传输速率,简化了工序难度,而第二层采用有机材料,避免了不同类型的材料由于稳定性不一致而导致的器件老化现象,另外,不同类型的材料可能会互相影响,使电子的传输受到一定的制约,本发明通过制备第二电子传输层,可有效避免这些现象的出现,提高电子传输速率,增强了发光效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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