[发明专利]将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法

权利要求书

1.一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：

步骤1：取一外延结构；

步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；

步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；

步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；

步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。

2.根据权利要求1所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中步骤1之后还包括，在外延结构上制备一层透明电极，表面粗化是在透明电极上进行的。

3.根据权利要求1所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中所述颗粒掩膜的颗粒的直径为300nm至5μm。

4.根据权利要求1所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中混合溶液由氯化钠、水和乙醇配制。

5.根据权利要求4所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中混合溶液中的氯化钠饱和溶液和乙醇的体积比为1∶1-1∶10。

6.根据权利要求1所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中烘干的温度为80℃-130℃。

7.根据权利要求1所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中外延结构表面浸入混合溶液中的时间为3秒-60秒。

8.根据权利要求2所述的将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，其中透明电极的材料为氧化铟锡或氧化锌，或及其组合，其厚度为100nm-1μm。