[发明专利]薄膜基板的制造方法无效
申请号: | 201210054263.1 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN102655119A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 新谷寿朗;有满幸生 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;C09J7/02;C09J133/14;C09J133/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种薄膜基板的制造方法,其特征在于,其是形成有图案的薄膜基板的制造方法,在设置于硬质基板表面的粘合粘接剂层上固定薄膜基板之后,在该薄膜基板上形成图案,接着,将薄膜基板在其与粘合粘接剂的界面处剥离。
2.根据权利要求1所述的薄膜基板的制造方法,其中,该薄膜基板由至少1层以上构成,其厚度为2mm以下,具有玻璃化转变温度(Tg)为23℃以上且拉伸弹性模量为300MPa以上的层。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜基板的制造方法,其中,该薄膜基板在150℃下的CTE为300ppm以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的薄膜基板的制造方法,其中,该粘合粘接剂层由至少1层以上的层构成,总厚度为1~1mm,23℃~150℃的储能模量为1×104~1×107。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的薄膜基板的制造方法,其中,该粘合粘接剂层的150℃×1hr加热后的粘合力的值在加热前测定值的3倍以内,且将薄膜基板剥离时的在剥离速度300mm/分钟下的180度剥离粘合力为1.5N/10mm以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的薄膜基板的制造方法,其中,形成图案的工序包括1次以上的加热至80℃~270℃的工序。
7.一种粘合粘接剂,其用于权利要求1~6中任一项所述的薄膜基板的制造方法中的粘合粘接剂层。
8.一种由硬质基板和设置在硬质基板表面的粘合粘接剂层构成的层叠体,其被用于权利要求1~6中任一项所述的薄膜基板的制造方法中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210054263.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造