[发明专利]形成鳍部及鳍式场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201210053862.1 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103295900A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 场效应 晶体管 方法 | ||
1.一种形成鳍部的方法，其特征在于，包括：
提供具有第一鳍部的基底；
利用外延生长法在第一鳍部平行其延伸方向的两侧面交叠形成第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层均至少为一层，所述第二半导体层的材料和所述第一鳍部的材料相同；
去除所述第一半导体层，所述第二半导体层作为第二鳍部，所述鳍部包括所述第一鳍部和第二鳍部。
2.如权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述利用外延生长法在第一鳍部平行其延伸方向的两侧面交叠形成第一半导体层和第二半导体层包括：
利用外延生长法在第一鳍部的表面交叠形成第一半导体层和第二半导体层；
对所述第一半导体层、第二半导体层进行平坦化，使所述第一半导体层的顶面、第二半导体层的顶面与所述第一鳍部的顶面相平。
3.如权利要求2所述的形成鳍部的方法，其特征在于，利用化学机械抛光进行所述平坦化。
4.如权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，在形成第一半导体层、第二半导体层之前，还包括：在所述第一鳍部的表面形成氧化层；湿法剥离所述氧化层。
5.如权利要求4所述的形成鳍部的方法，其特征在于，利用湿氧或干氧氧化所述第一鳍部，在所述第一鳍部的表面形成氧化层。
6.如权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述第一半导体层的材料为单晶锗硅，所述第二半导体层的材料为单晶硅。
7.如权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，利用高选择比湿法刻蚀或干法刻蚀去除所述第一半导体层。
8.如权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述具有第一鳍部的基底的形成方法包括：
提供SOI衬底，所述SOI衬底包括：第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底上的埋层，位于所述埋层上的第二半导体衬底；
对所述第二半导体衬底进行图形化形成第一鳍部。
9.如权利要求8所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述第一半导体衬底的材料为单晶硅。
10.如权利要求8所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述第二半导体衬底的材料为单晶硅。
11.如权利要求8所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述埋层的材料为氧化硅。
12.如权利要求8所述的形成鳍部的方法，其特征在于，图形化所述第二半导体衬底的方法为光刻、刻蚀。
13.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：
用权利要求1～12任一项所述的方法形成鳍部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
