[发明专利]相变存储器、其底部接触结构及其各自制作方法有效
| 申请号： | 201210053852.8 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103296201A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李莹;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 底部 接触 结构 及其 各自 制作方法 | ||
1.一种相变存储器底部接触结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成有包埋在第一介电层中的导电插塞；
在所述导电插塞、及第一介电层上至少形成第二介电层；
利用光刻、刻蚀在所述第二介电层内形成暴露部分所述导电插塞的沟槽；
在所述第二介电层、沟槽内淀积导电层；
利用光刻工艺在所述沟槽外的导电层上定义出垂直沟槽的条状区域，保留位于所述导电插塞、及所述条状区域上的导电层，去除其它区域的导电层；
在所述沟槽内填充第三介电层，并CMP去除沟槽外的第三介电层及导电层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有有源区，所述有源区与所述导电插塞电连接。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层、第二介电层、第三介电层的材质相同。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二介电层形成前，所述导电插塞、及第一介电层上还形成有刻蚀停止层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，淀积在沟槽侧壁上的导电层的厚度小于10nm。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述淀积的导电层的材质为氮化钛。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内填充第三介电层前，还进行在所述沟槽内淀积研磨终止层的步骤。
8.一种根据上述任一权利要求所述制作方法形成的相变存储器底部接触结构。
9.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：
根据权利要求1-7任意一项所述的制作方法制作底部接触结构；
淀积相变材料层；
在所述相变材料成上形成顶部接触结构。
10.一种根据权利要求9所述制作方法形成的相变存储器。
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