[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年3月4日提交的韩国专利申请No.10-2011-0019511的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种非易失性存储器件及其制造方法和操作方法。

背景技术

非易失性存储器件是即使在供电中断的情况下也维持所存储的数据的存储器件。当前，广泛使用诸如NAND型快闪存储器的各种非易失性存储器件。

图1是示出现有的非易失性存储器件的电路图。

参见图1，现有的非易失性存储器件包括沿着列方向延伸并且彼此平行布置的多个位线BL，以及沿着行方向延伸的源极线SL。位线BL包括交替布置的偶数位线BLe和奇数位线BLo。

其中漏极选择晶体管DST、多个存储器晶体管MT和源极选择晶体管SST串联连接的串设置在每个位线BL与源极线SL之间。

漏极选择线DSL与漏极选择晶体管DST的栅电极连接且沿着行方向延伸。字线WL与存储器晶体管MT的控制栅电极连接且沿着行方向延伸。源极选择线SSL与源极选择晶体管SST的栅电极连接且沿着行方向延伸。

在如上配置的非易失性存储器件中，以每个页为单位来执行数据编程操作和数据读取操作。具体地，分开执行用于对与偶数位线BLe连接的串中的某单元进行编程的偶数页编程操作，以及用于对与奇数位线BLo连接的串中的某单元进行编程的奇数页编程操作。以相同的方式应用于偶数页读取和奇数页读取操作。

然而，现有的非易失性存储器件具有下列特点。

在现有的非易失性存储器件中，由于位线BL和源极线SL沿着不同的方向延伸，因此它们不设置在同一层上。也就是说，位线BL和源极线SL要经由不同的工艺形成为不同的层。在这种情况下，由于要分开执行掩模工艺和刻蚀工艺以便形成位线BL和源极线SL，因此工艺变得复杂化。

此外，在现有的非易失性存储器件中，源极线SL与所有的串共同连接。因此，在读取操作中，要利用在各个位线BL中感测电压变化的方式。然而，在此情况下，感测噪声可能会增加。

发明内容

本发明的实施例涉及一种可以简化制造工艺和提高操作特性的非易失性存储器件及其制造方法和操作方法。

根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件包括：位线和源极线，所述位线与所述源极线交替地彼此平行布置；偶数串和奇数串，所述偶数串与所述奇数串交替地布置在所述位线与所述源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管，其中所述漏极选择晶体管包括结构与所述存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与所述源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管；偶数漏极选择线，所述偶数漏极选择线与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和所述奇数串的第二漏极选择晶体管连接；以及奇数漏极选择线，所述奇数漏极选择线与所述偶数串的第二漏极选择晶体管和所述奇数串的第一漏极选择晶体管连接。

根据本发明的另一个实施例，一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线，以及偶数串和奇数串，所述偶数串和所述奇数串分别并交替地布置在所述位线与所述源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管，其中所述漏极选择晶体管包括结构与所述存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管以及结构与所述源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管，所述方法包括：通过将所述偶数串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管导通并将所述奇数串的第二漏极选择晶体管关断，对属于所述偶数串且要编程的存储器晶体管执行偶数页编程；以及通过将所述奇数串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管导通并将所述偶数串的第二漏极选择晶体管关断，对属于所述奇数串的并且要编程的存储器晶体管执行奇数页编程。