[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

位线和源极线，所述位线与所述源极线交替地彼此平行布置；

偶数串和奇数串，所述偶数串与所述奇数串交替地布置在所述位线与所述源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管，其中，所述漏极选择晶体管包括结构与所述存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与所述源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管；

偶数漏极选择线，所述偶数漏极选择线与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和所述奇数串的第二漏极选择晶体管连接；以及

奇数漏极选择线，所述奇数漏极选择线与所述偶数串的第二漏极选择晶体管和所述奇数串的第一漏极选择晶体管连接。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在所述偶数串和所述奇数串之中，跨过设置在之间的位线而彼此相邻的第一偶数串和第一奇数串共享所述位线，跨过设置在之间的源极线而彼此相邻的第二偶数串和第二奇数串共享所述源极线。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述偶数漏极选择线与所述偶数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极以及所述奇数串的第二漏极选择晶体管的控制栅极连接，所述奇数漏极选择线与所述偶数串的第二漏极选择晶体管的控制栅电极以及所述奇数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极相连接。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，还包括：

字线，所述字线与所述存储器晶体管的控制栅电极连接，并且沿着与所述位线和所述源极线交叉的方向延伸；以及

源极选择线，所述源极选择线与所述源极选择晶体管的栅电极连接，并且沿着与所述位线和所述源极线交叉的方向延伸。

5.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括：位线和源极线，所述位线与所述源极线交替地彼此平行布置；以及偶数串和奇数串，所述偶数串与所述奇数串交替地布置在所述位线与所述源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管，其中所述漏极选择晶体管包括结构与所述存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管以及结构与所述源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管，所述方法包括：

通过将所述偶数串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管导通并将所述奇数串的第二漏极选择晶体管关断，对属于所述偶数串且要编程的存储器晶体管执行偶数页编程；以及

通过将所述奇数串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管导通并将所述偶数串的第二漏极选择晶体管关断，对属于所述奇数串且要编程的存储器晶体管执行奇数页编程。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：在执行所述偶数页编程或所述奇数页编程之前：

将储存在所述第一漏极选择晶体管中的数据擦除。

7.如权利要求5所述的方法，其中，执行所述偶数页编程包括：

施加所述第一漏极选择晶体管的第一导通电压到所述偶数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极和所述奇数串的第二漏极选择晶体管的控制栅电极；以及

施加高于所述第一导通电压且使所述第二漏极选择晶体管导通的第二导通电压到所述偶数串的第二漏极选择晶体管的控制栅电极和所述奇数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极，

其中，执行所述奇数页编程包括：

施加所述第一漏极选择晶体管的所述第一导通电压到所述偶数串的第二漏极选择晶体管的控制栅电极和所述奇数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极；以及

施加所述第二导通电压到所述偶数串的第一漏极选择晶体管的控制栅电极和所述奇数串的第二漏极选择晶体管的控制栅电极。

8.如权利要求5所述的方法，

其中，在执行所述偶数页编程中，在彼此相邻且共享一个位线的一对偶数串和奇数串之中，所述偶数串电连接到被共享的所述位线，

其中，在执行所述奇数页编程中，所述一对偶数串和奇数串之中的所述奇数串电连接到被共享的所述位线。