[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210051720.1 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102856506A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 崔钟炫;吴在焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
薄膜晶体管,包括有源层和与有源层绝缘的栅极,所述栅极包括下栅极和上栅极,薄膜晶体管还包括均与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极;
有机发光器件,电连接到薄膜晶体管并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极、包括发射层的中间层和对向电极,其中,像素电极、中间层和对向电极顺序地堆叠;
焊盘电极,电结合到薄膜晶体管或有机发光器件,并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极,其中,第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括覆盖栅极和焊盘电极的至少一个绝缘层,其中,绝缘层具有不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分的孔。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,焊盘电极的经所述孔暴露的部分电连接到用于供应电流的驱动器集成电路,以驱动有机发光显示装置。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,源极和漏极布置在所述至少一个绝缘层的上表面上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第三焊盘电极包括多晶氧化铟锡。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,下栅极、像素电极和第一焊盘电极包括透明导电氧化物。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,上栅极和第二焊盘电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu中选择的至少一种。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括电容器,所述电容器包括形成在与形成有有源层的层相同的层中的下电容器电极和形成在与形成有栅极的层相同的层中的上电容器电极,电容器电结合到薄膜晶体管。
9.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括下述步骤:
第一掩模工艺,在基底上形成薄膜晶体管的有源层;
第二掩模工艺,在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层,然后将第一导电层、第二导电层和第三导电层图案化以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极,所述栅极包括用作下栅极的第一导电层和用作上栅极的第二导电层,第一电极图案包括第一导电层和第二导电层,焊盘电极包括用作第一焊盘电极的第一导电层、用作第二焊盘电极的第二导电层和用作第三焊盘电极的第三导电层;
第三掩模工艺,在栅极、第一电极图案和焊盘电极的上表面上形成第二绝缘层,然后通过将第一绝缘层和第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的第一孔,并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露第一电极图案和焊盘电极的至少一部分的第二孔;
第四掩模工艺,形成经所述第一孔接触有源层的源极和漏极,并由第一电极图案形成像素电极;
第五掩模工艺,形成暴露像素电极的至少一部分的像素限定层。
10.如权利要求9所述的方法,其中,第二掩模工艺包括:
在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层;
通过使用半色调掩模形成第一感光层图案,第一感光层图案在对应于栅极和第一电极图案的第一区域中具有第一厚度并且在对应于焊盘电极的第二区域中具有大于第一厚度的第二厚度;
通过使用第一感光层图案作为掩模来形成栅极、第一电极图案和焊盘电极,在栅极、第一电极图案和焊盘电极中顺序地堆叠第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个;
通过将第一感光层图案去除第一厚度那么多来形成在第二区域中具有第三厚度的第二感光层图案;
通过使用第二感光层图案作为掩模去除位于第一区域的上部中的第三导电层,以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极。
11.如权利要求9所述的方法,在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前,还包括通过使第三焊盘电极退火来产生多晶氧化铟锡的步骤。
12.如权利要求9所述的方法,在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前,还包括通过对有源层掺杂杂质来形成源区和漏区的步骤。
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