[发明专利]固体摄像器件、其制造方法以及电子装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

多个光电转换部，各光电转换部设置成对应于半导体基板中多个像素中的每一者，并通过感光表面接收入射光；以及

像素分隔部，其设置在所述半导体基板的内部部分中的所述多个像素之间，并电隔离所述多个像素，

其中，在沟槽的内部部分中至少设置有钉扎层及遮光层，所述沟槽设置于所述半导体基板的进入有所述入射光的入射表面侧中各所述光电转换部的侧部上，

所述沟槽包括第一沟槽及第二沟槽，所述第二沟槽在所述半导体基板中位于比所述第一沟槽浅的部分中，所述第二沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度宽，

所述钉扎层形成于所述第一沟槽的内部部分中，并覆盖所述第二沟槽的内表面，

所述遮光层形成为至少隔着所述钉扎层掩埋所述第二沟槽的内部部分。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，

其中，所述钉扎层形成为掩埋所述第一沟槽的整个内部部分。

3.根据权利要求2所述的固体摄像器件，还包括：

绝缘膜，其形成为隔着所述钉扎层覆盖所述第二沟槽的所述内表面，

其中，所述遮光层形成为隔着所述钉扎层及所述绝缘膜掩埋所述第二沟槽的所述内部部分。

4.根据权利要求1所述的固体摄像器件，还包括：

绝缘膜，其形成为隔着所述钉扎层覆盖所述第二沟槽的所述内表面，

其中，所述钉扎层形成为覆盖所述第一沟槽的内表面，

所述绝缘膜形成为隔着所述钉扎层掩埋所述第一沟槽的内部部分，

所述遮光层形成为隔着所述钉扎层及所述绝缘膜掩埋所述第二沟槽的所述内部部分。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的固体摄像器件，

其中，所述钉扎层是由包含负的固定电荷的材料形成的。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的固体摄像器件，

其中，所述钉扎层是使用氧化铪、五氧化二钽或氧化铝形成的。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的固体摄像器件，

其中，所述遮光层是使用铝或钨形成的。

8.根据权利要求1所述的固体摄像器件，还包括：

像素晶体管，其设置在所述半导体基板的与所述入射表面相反侧的表面上，并输出由所述光电转换部所产生的信号电荷作为电信号，以及

配线层，其设置成覆盖所述半导体基板的与所述入射表面相反侧的表面上的所述像素晶体管。

9.根据权利要求1所述的固体摄像器件，还包括：

滤色器，其用于将所述入射光透射至所述感光表面，

其中，在所述滤色器中，对波长范围互不相同的光具有高透射率的多种滤光层布置成彼此相邻且对应于所述多个像素中的每一者，且

在所述多个像素中，以下像素的周边的所述沟槽形成为比其它部分中的所述沟槽深：在所述像素中，设有在所述多种滤光层中对最长波长的波长范围的光具有更高透射率的滤光层。

10.一种制造固体摄像器件的方法，其包括以下步骤：

对应于半导体基板中的多个像素设置多个光电转换部，所述多个光电转换部通过感光表面接收入射光；以及

在所述半导体基板的内部部分中的所述多个像素之间形成像素分隔部，所述像素分隔部电隔离所述多个像素，

其中，所述形成像素分隔部的步骤包括：在沟槽的内部部分中至少设置钉扎层及遮光层，所述沟槽设置于所述半导体基板的进入有所述入射光的入射表面侧中各所述光电转换部的侧部上，

所述沟槽形成为包括第一沟槽及第二沟槽，所述第二沟槽在所述半导体基板中位于比所述第一沟槽浅的部分中，所述第二沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度宽，

所述钉扎层形成为覆盖所述第一沟槽的内部部分及所述第二沟槽的内表面，

所述遮光层形成为至少隔着所述钉扎层掩埋所述第二沟槽的内部部分。

11.一种电子装置，其包括权利要求1～9中任一项所述的固体摄像器件。