[发明专利]用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰及制作方法和应用

权利要求书

1.一种用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰，其特征在于：所述围堰由易溶于水的物质制作而成。

2.根据权利要求1所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰，其特征在于：所述围堰由易溶于水的无机物熔剂中加入增稠剂后形成的具粘性的膏状无机物制作而成。

3.根据权利要求2所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰，其特征在于：所述无机物熔剂的熔点介于250-450℃。

4.根据权利要求2所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰，其特征在于：所述无机物熔剂为磷酸二氢钾熔剂。

5.一种用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、配置膏状无机物：在易溶于水的无机物熔剂中加入增稠剂，使其形成易于成型且具粘性的膏状无机物；

2)、围堰的成型：将该膏状无机物设置于位于封装基板上的LED芯片安装位的四周，并固化成型为围堰。

6.根据权利要求5所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中是采用钢网工艺将该膏状无机物设置于该LED芯片安装位的四周，其包括以下步骤：

首先将设有与所述围堰形状尺寸相匹配的网孔的钢网加热至膏状无机物的熔点温度；然后将该膏状无机物涂覆在该钢网上，使用刮板在该膏状无机物上施加压力，同时移动该刮板，使其朝钢网的一端移动，刮板移动时，该膏状无机物通过钢网上的网孔挤压至封装基板上，并与该封装基板表面粘附，形成以该LED芯片安装位为中心的围堰。

7.根据权利要求5所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰的制作方法，其特征在于：所述无机物熔剂的熔点介于250-450℃。

8.根据权利要求5所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰的制作方法，其特征在于：所述无机物熔剂为磷酸二氢钾熔剂。

9.根据权利要求5所述的用于LED芯片荧光粉层涂布的围堰的制作方法，其特征在于：所述增稠剂为ASE-60或淀粉。

10.一种利用权利要求1-4中任意一个所述围堰的LED封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a、配置膏状无机物：在易溶于水的无机物熔剂中加入增稠剂，使其形成易于成型且具粘性的膏状无机物；

b、围堰的成型：将该膏状无机物设置于位于封装基板上的LED芯片安装位的四周，并固化成型为围堰；

c、荧光粉层的成型：将LED芯片固定于所述LED芯片安装位，在该LED芯片上焊金线，并在该围堰内点入荧光粉胶；该荧光粉胶固化后形成一附着在该封装基板上，并将该LED芯片包覆的荧光粉层；

d、将该封装基板浸泡在水中，溶解该围堰；

e、在该围堰溶解后，取出该封装基板进行干燥；

f、封装LED透镜。

11.根据权利要求10所述的LED封装方法，其特征在于：所述步骤b中是采用钢网工艺将该膏状无机物设置于该LED芯片安装位的四周，其包括以下步骤：

首先将设有与所述围堰形状尺寸相匹配的网孔的钢网加热至膏状无机物的熔点温度；然后将该膏状无机物涂覆在该钢网上，使用刮板在该膏状无机物上施加压力，同时移动该刮板，使其朝钢网的一端移动，刮板移动时，该膏状无机物通过钢网上的网孔挤压至封装基板上，并与该封装基板表面粘附，形成以该LED芯片安装位为中心的围堰。

12.根据权利要求10所述的LED封装方法，其特征在于：所述无机物熔剂的熔点介于250-450℃。

13.根据权利要求10所述的LED封装方法，其特征在于：所述无机物熔剂为磷酸二氢钾熔剂。

14.根据权利要求10所述的LED封装方法，其特征在于：所述增稠剂为ASE-60或淀粉。