[发明专利]二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法

权利要求书

1.一种二分型半导体激光元件，其中，

包括：

(a)层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层；

(b)形成在第二化合物半导体层上的带状的第二电极；以及

(c)电连接在第一化合物半导体层上的第一电极，

并且，第二电极通过分离槽被分离成第一部分和第二部分，其中第一部分用于通过使直流电流经由发光区域流向第一电极来使层积结构体形成正偏状态，第二部分用于对可饱和吸收区域施加电场，

第二电极的第一部分和第二部分之间的电阻大于等于第二电极和第一电极之间的电阻的10倍。

2.一种二分型半导体激光元件，其中，

包括：

(a)层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层；

(b)形成在第二化合物半导体层上的带状的第二电极；以及

(c)电连接在第一化合物半导体层上的第一电极，

并且，第二电极通过分离槽被分离成第一部分和第二部分，其中第一部分用于通过使直流电流经由发光区域流向第一电极来使层积结构体形成正偏状态，第二部分用于对可饱和吸收区域施加电场，

第二电极的第一部分和第二部分之间的电阻值大于等于1×10²Ω。

3.如权利要求1或2所述的二分型半导体激光元件，其中，

第二电极的宽度大于等于0.5μm并且小于等于50μm，

脊结构的高度大于等于0.1μm并且小于等于10μm，

将第二电极分离成第一部分和第二部分的分离槽的宽度大于等于1μm并且小于等于共振器长度的50％。

4.如权利要求1或2所述的二分型半导体激光元件，其中，

第二电极由钯单层、镍单层、铂单层、或者钯层与第二化合物半导体层接触的钯层/铂层的层积结构、或者钯层与第二化合物半导体层接触的钯层/镍层的层积结构来构成。

5.如权利要求1或2所述的二分型半导体激光元件，其中，

第二电极由钯单层构成。

6.一种二分型半导体激光元件的驱动方法，其中，

二分型半导体激光元件包括：

(a)层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层；

(b)形成在第二化合物半导体层上的带状的第二电极；以及

(c)电连接在第一化合物半导体层上的第一电极，

并且，第二电极被分离槽分离成第一部分和第二部分，

第二电极的第一部分和第二部分之间的电阻大于等于第二电极和第一电极之间的电阻的10倍，

并且，在所述二分型半导体激光元件的驱动方法中，

使直流电流从第二电极的第一部分经由发光区域流向第一电极来作为正偏状态，并且通过在第一电极和第二电极的第二部份之间施加电压来对可饱和吸收区域施加电场，由此使二分型半导体激光元件进行自脉动。