[发明专利]电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法有效
申请号: | 201210034170.2 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN103259533B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 杨丰林 | 申请(专利权)人: | 上海期成微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08;H03B5/04 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200001 上海市黄浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 电容 振荡器 锁相环 电路 及其 温度 补偿 方法 | ||
1.一种电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,包含:鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器、温度补偿单元,分频器;
所述鉴频鉴相器将标准时钟频率和所述分频器输出的反馈频率进行比较,并将所述比较结果输出给所述电荷泵;
所述电荷泵将所述比较结果转化为模拟电流,并将转化后的所述模拟电流输出给所述环路滤波器,所述电荷泵中包含供所述温度补偿单元控制的MOS管;
所述环路滤波器将所述模拟电流转换为调整电压Vadj,并将转换后的所述Vadj输出给所述压控振荡器和所述温度补偿单元;
所述压控振荡器根据所述Vadj进行频率细调直到锁定,所述压控振荡器中包含供所述温度补偿单元控制的电容;
所述温度补偿单元包含比较子单元和压控振荡器补偿逻辑控制子单元;所述比较子单元将所述Vadj与N个预设的表征温度变化的边际电压值进行比较,并将得到的反映电压大小的数字信号值输出给所述压控振荡器补偿逻辑控制子单元,所述压控振荡器补偿逻辑控制子单元根据该数字信号值向所述压控振荡器输出控制信号,将该压控振荡器中供该温度补偿单元控制的电容进行关闭或开启;所述温度补偿单元还包含电荷泵补偿逻辑控制子单元,该电荷泵补偿逻辑控制子单元从所述比较子单元接收所述数字信号值,并根据该数字信号值向所述电荷泵输出控制信号,将该电荷泵中供该温度补偿单元控制的MOS管进行关闭或开启;
所述分频器将所述压控振荡器的输出频率进行分频处理并输出给所述鉴频鉴相器。
2.根据权利要求1所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,所述压控振荡器补偿逻辑控制子单元在压控振荡器增益Kvco大于零的情况下,在所述数字信号值所反映的电压越高时,关闭所述压控振荡器中越多的电容,在所述数字信号值所反映的电压越低时,开启所述压控振荡器中越多的电容;
所述压控振荡器补偿逻辑控制子单元在压控振荡器增益Kvco小于零的情况下,在所述数字信号值所反映的电压越高时,开启所述压控振荡器中越多的电容,在所述数字信号值所反映的电压越低时,关闭所述压控振荡器中越多的电容。
3.根据权利要求1所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,
所述电荷泵补偿逻辑控制子单元在压控振荡器增益Kvco大于零的情况下,在所述数字信号值所反映的电压越高时,关闭所述电荷泵中越多的MOS管,在所述数字信号值所反映的电压越低时,开启所述电荷泵中越多的MOS管;
所述电荷泵补偿逻辑控制子单元在压控振荡器增益Kvco小于零的情况下,在所述数字信号值所反映的电压越高时,开启所述电荷泵中越多的MOS管,在所述数字信号值所反映的电压越低时,关闭所述电荷泵中越多的MOS管。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,
所述比较子单元包含N个轨到轨比较器,每个所述轨到轨比较器将所述Vadj与一个所述边际电压值进行比较,在不同轨到轨比较器中参与比较的边际电压值不同;
每个所述轨到轨比较器根据比较结果输出一位信号,N个所述轨到轨比较器输出的N位信号组合成所述数字信号值。
5.根据权利要求4所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,
所述N个边际电压值分别为VBH1、VBH0、VBL1、VBL0,其中VBH1>VBH0>VBL1>VBL0;
所述比较子单元包含分压电阻链,该分压电阻链生成所述VBH1、VBH0、VBL1、VBL0,并将生成的所述VBH1、VBH0、VBL1、VBL0输出到各所述轨到轨比较器中。
6.根据权利要求5所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,
所述分压电阻链末端设有一个NMOS管开关,该NMOS管开关开启时,该分压电阻链工作,该NMOS管开关关闭时,该分压电阻链停止工作。
7.根据权利要求4所述的电感电容振荡器的锁相环电路,其特征在于,
所述比较子单元还包含缓冲器,由该缓冲器将所述Vadj传递到各所述轨到轨比较器中。
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