[发明专利]使用电介质膜填充端间的间隙

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板上形成多个栅极结构，将所述多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在所述线路之间的端间间隔小于在所述线路之间的线间间隔；

在所述栅极结构的上方形成蚀刻停止层；

在所述栅极结构的上方形成层间电介质；以及

在形成所述层间电介质以前，在所述栅极结构的上方形成电介质膜，所述电介质膜结合在所述栅极结构之间的所述端间间隔中形成的端间间隙中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质膜包括形成用于所述栅极结构的侧壁隔离结构的膜；或者

所述电介质膜包括形成偏置侧壁的膜、形成伪侧壁的膜、以及形成预蚀刻停止层侧壁的膜中的至少一个；或者

所述电介质膜包括：SiO₂、SiN、SiCN、SiBN、SiOCN、SiON、SiOC、以及SiC中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，以根据以下关系的厚度形成所述电介质膜：

L2L_space/2＞厚度＞E2E_space/2；其中，L2L_space为在所述线路之间的所述线间间隔，并且其中，E2E_space为在所述栅极结构之间的所述端间间隔，或者

其中，L2L_space＞E2E_space+5nm；其中，L2L_space为在所述线路之间的所述线间间隔，并且其中，E2E_space为在所述栅极结构之间的所述端间间隔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述蚀刻停止层以前沉积所述电介质膜；或者

使用原子层沉积(ALD)和低压化学汽相沉积(LPCVD)中的一种或者多种来形成所述电介质膜。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用干蚀刻和certas蚀刻中的至少一种去除所述蚀刻停止层、所述层间电介质、以及所述电介质膜中的至少部分以暴露在所述线路中的伪多晶硅栅极，

其中，去除所述电介质膜的至少部分包括：

将至少一些所述介电层留在所述端间间隙中。

6.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

多个栅极，形成在所述半导体基板上，所述多个栅极包括具有在所述线路的平行线路之间的线间间隔和在所述栅极的共线栅极之间的端间间隔的线路；

层间电介质，形成在所述栅极的上方；以及

电介质膜，形成在所述栅极和所述层间电介质之间，所述电介质膜结合在所述栅极的端间间隙内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述电介质膜没有结合在所述栅极的线间间隙中；或者

所述栅极包括侧壁隔离件并且其中所述电介质膜为与在所述侧壁隔离件中相同的膜；或者

以根据以下关系的厚度形成所述电介质膜：

L2L_space/2＞厚度＞E2E_space/2；其中，L2L_space为所述线间间隔，并且其中，E2E_space为所述端间间隔。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，在形成所述层间电介质以前形成所述电介质膜；或者

在形成所述层间电介质以前去除所述电介质膜的部分，并且所述电介质膜的剩余部分填充所述端间间隙。

9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成多个栅极，所述栅极包括侧壁和伪栅结构，其中，在基板上的多条平行线路中形成栅极，该基板具有的平行线路之间的间隔小于共线栅极之间的端间间隔；

在所述多个栅极的上方形成层间电介质；

在所述多个栅极和所述层间电介质之间形成电介质膜，所述电介质膜结合在共线栅极之间的所述端间间隔中但是没有结合在平行线之间；以及

去除所述层间电介质的部分以暴露所述伪栅结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除部分所述电介质膜的步骤留下结合在共线栅极之间的所述端间间隔之间的至少一些所述电介质膜；或者

在形成所述层间电介质以前形成所述电介质膜；或者

形成所述电介质膜，包括：

根据以下关系沉积侧壁隔离膜：

L2L_space/2＞侧壁隔离膜的厚度＞E2E_space/2；

其中，L2L_space为在所述平行线之间的所述间隔，并且其中，E2E_space为在所述共线栅极之间的端间间隔。